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第二节 半导体存储器
TTL型
双极型 速度很快、功耗大、
工艺 ECL型 容量小
PMOS 功耗小、容量大
电路结构 NMOS
MOS型 CMOS （静态MOS除外）
工作方式 静态MOS
动态MOS
静态存储器SRAM（双极型、静态MOS型）：
存储信 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机
息原理 制存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。
动态存储器DRAM（动态MOS型）：
依靠电容存储电荷的原理存储信息。
功耗较小,容量大,速度较快,作主存。
静态MOS存储单元与存储芯片
W Vcc W
（1）组成 T3 T4
T1、T3：MOS反相器 T5 T6
T2、T4：MOS反相器
T1 T2
触发器
T5、T6：控制门管
Z
Z：字线，选择存储单元
W、 W：位线，完成读/写操作
（2）定义
“0”：T1导通，T2截止；
“1”：T1截止，T2导通。
（3）工作 W Vcc W
Z：加高电平，T5、T6
T3 T4
导通，选中该单元。 T5 T6
写入：在W、W上分别加
高、低电平，写1/0。 T1 T2
读出：根据W、W上有无
电流，读1/0。
Z
（4）保持
Z：加低电平，T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。
只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导
通，另一管截止的状态不变，∴称静态。
静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。

（1K×4位）
（1）外特性
Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE
18 10
2114（1K×4）
19
A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND
地址端： A9～A0（入）
数据端： D3～D0（入/出）
片选CS = 0 选中芯片
控制端： = 1 未选中芯片
写使能WE = 0 写
= 1 读
电源、地
（2）内部寻址逻辑
寻址空间1K，存储矩阵分为4个位平面，每面1K×1位。
每面矩阵排成64行×16列。
64×16 64×16 64×16 64×16
6位行地址行译码X0
1K 1K 1K 1K
X63
Y0 Y15
列译码 W W W W
4位列地址
Xi
一级：地址译码，
两级
选择字线、位线。
译码
二级：一根字线和
一组位线交叉， 读/写线路
选择一位单元。 Yi
动态MOS存储单元与存储芯片
W W
（1）组成 T3 T4
T1、T2：记忆管
C1、C2：柵极电容 T1 T2
T3、T4：控制门管