静态存储器-实验报告.doc

静态存储器-实验报告
计算机科学与技术系
实 验 报 告
专业名称 计算机科学与技术
课程名称 计算机组成与结构
项目名称 静态随机存储器实验
班 级
学 号
姓 名
同组人员 无
实验日期 2015-10-24
一、实验目的与要求
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法
二、实验逻辑原理图与分析
实验逻辑原理图及分析
实验所用的静态存储器由一片6116(2K×8bit)构成(位于MEM单元)，如下图所示。6116有三个控制线：CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线)，当片选有效(CS=0)时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地线。
由于存储器(MEM)最终是要挂接到CPU上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如下图所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。
实验原理图如下如所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器(74LS273,位于PC&AR单元)给出。数据开关(位于IN单元)经一个三态门(74LS245)连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。
四、实验数据和结果分析
实验写入数据如图所示及分析
1．第一组地址和写入数据
⑴ 将IN单元地址置为00000000，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 写入数据：将IN单元数据置为00010001，WR/RD/IOM/为100,IOR=0，LDAR=0，按动ST产生T3脉冲，如图：
2．第二组地址和写入数据
⑴ 将IN单元地址置为00000001，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 写入数据：将IN单元数据置为00010010，WR/RD/IOM/为100,IOR=0，LDAR=0，按动ST产生T3脉冲，如图：
3．第三组地址和写入数据
⑴ 将IN单元地址置为00000010，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 写入数据：将IN单元数据置为00010011，WR/RD/IOM/为100,IOR=0，LDAR=0，按动ST产生T3脉冲，如图：
4．第四组地址和写入数据
⑴ 将IN单元地址置为00000011，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 写入数据：将IN单元数据置为00010100，WR/RD/IOM/为100,IOR=0，LDAR=0，按动ST产生T3脉冲，如图：
5．第五组地址和写入数据
⑴ 将IN单元地址置为00000100，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 写入数据：将IN单元数据置为00010101，WR/RD/IOM/为100,IOR=0，LDAR=0，按动ST产生T3脉冲，如图：
实验读出数据如图所示及分析
1．第一组地址和读出数据
⑴ 将IN单元地址置为00000000，WR/RD/IOM/为000,IOR=0，LDAR=1，按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入AR中，如图：

⑵ 读出数据：将WR/RD/IOM/置为010,IO