半导体名词解释.doc

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1.  何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?
        答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进展改善, 确保产品的良率〔yield〕稳定良好。
2.  200mm，300mm Wafer 代表何意义?
        答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.
3.  目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？
        答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 。未来厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4.  我们为何需要300mm?
        答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位本钱降低
    200→300 ,
       
5.  um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？
        答： um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. ->->->-> 的technology改变又代表的是什幺意义？
        答：栅极线的宽〔该尺寸的大小代表半导体工艺水平的上下〕做的越小时，工艺的难度便相对提高。 -> ->   -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型〔type〕,何谓 N, P-type wafer?
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        答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
8.  工厂中硅片〔wafer〕的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？
        答：主要有四个局部：DIFF〔扩散〕、TF(薄膜)、PHOTO〔光刻〕、ETCH〔刻蚀〕。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子         注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程〔module〕间重复进展的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。
9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？
        答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线). 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
光罩层数〔mask layer〕代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO〔光刻〕.
10.  Wafer下线的第一道