界面陷阱对SiC+MOS迁移率和阈值稳定性的影响.pdf

硕 士 学 位 论 文
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界面陷阱对SiC MOS迁移率和阈值稳定性的
影响
作者姓名 周赐麒
指导教师姓名、职称 汤晓燕 教授
申请学位类别 工学硕士
学校代码 10701 学 号 1511122638
分类号 TN4 密 级 公开
西安电子科技大学


硕士学位论文
界面陷阱对SiC MOS迁移率和阈值稳定性的
影响

作者姓名：周赐麒
一级学科：电子科学与技术
二级学科：微电子学与固体电子学
学位类别：工学硕士
指导教师姓名、职称：汤晓燕 教授
学 院：微电子学院
提交日期：2018 年 4 月
Effect of Interface Traps on the Mobility and
Threshold Stability of SiC MOS
A thesis submitted to
XIDIAN UNIVERSITY
in partial fulfillment of the requirements
for the degree of Master
in Microelectronics and Solid State Electronics

By
Zhou Ciqi
Supervisor: Tang Xiaoyan Title: Professor
April 2018
西安 电子科技大学
学位论文独创 性 （ 或创新性 ） 声 明
秉 承 学校严谨 的 学 风和优 良 的 科 学道 德 ， 本 人 声 明 所呈交 的 论文是我个 人在 导 师
工
指导 下 进 行的 研 宂 作及 取得 的 研 宂 成果 。 尽我所 知 ， 除 了 文 中 特 别加 以 标 注和 致谢