硅片加工表面抛光.ppt

上章内容回顾?加工的对象:硅切割片?加工的过程:倒角、研磨、热处理?加工的目的: ?倒角—; ,释放应力负面效应(形成边缘应力) ?研磨—减薄表面损伤层,为进一步抛光创造条件负面效应(形成面内螺旋式应力分布) ?热处理—; ?为何是对硅片,而不对硅锭,进行热处理? 1) 大块单晶不容易均匀受热,加热后易发生崩裂,(热膨胀系数各向异性的),而硅片尺寸小,散热快,不易于崩裂。 2)对硅片热处理,可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。加工效果的评估?损伤层:大幅减薄,大约还有 20~30μm ?粗糙度:大幅减小,大约还有 10~20μm ?应力:内部已经消除?电阻率温度稳定性:较好—消除了热施主?杂质污染: 存在不可避免的金属等污染, 一般在浅表层。待进一步加工: 损伤层,粗糙度, 洁净抛光清洗下一章的工艺?硅片的表面抛光——进一步提高硅片表面的平整度。第四章硅片表面的抛光技术?主要内容: 。 :化学减薄—抛光。 — CMP CMP: Chemical Mechanism polish 。硅片抛光的意义?硅加工中,多线切割、研磨等加工过程中, 会在表面形成损伤层,从而使得表面有一定粗糙度。抛光就是在磨片基础上,通过化学机械研磨方式,进一步获得更光滑、平整的硅单晶表面的过程。?研磨片粗糙度(抛光前):~ 10-20um ?抛光片粗糙度(抛光后):~几十 nm 研磨片抛光片研磨和抛光中关注的参数?研磨片: 一定厚度的薄片,是一种体材料, 只关注某些体的特征参数,如厚度、翘曲度,和表面的参数,如崩边。?抛光片: 有光滑表面的硅片,主要关注加工的硅表面的特征参数。 1. 抛光片的特性参数?1)硅片的理想状态?2)硅片表面的平整度?3)硅片表面的缺陷 1)硅片理想状态?硅片的理想状态: ?a:硅片上、下表面之间,对应的测量点的垂直距离完全一致,且任意表面均与理想平面相平行。? b:硅片表面晶格完整,所有非饱和的悬挂键位于表面的二维平面内。? c: 无杂质污染,无各种晶体缺陷。?理想平面: 指几何学上的理想的、完美的平整平面。