LED芯片制作流程学习教案.ppt

会计学
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LED芯片制作(zhìzuò)流程
第一页，共41页。
报告(bàogào)内容
(gàikuàng)


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LED芯片(xīn piàn)结构
MQW=Multi-quantum well,多量子(liàngzǐ)阱
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LED 制造(zhìzào)过程
衬底材料生长
LED结构MOCVD生长
芯片加工
芯片切割
器件封装
Sapphire蓝宝石
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LED制程工艺(gōngyì)
步骤
内容
前段
外延片衬底及外延层生长
中段
蒸镀、光刻、研磨、切割过程
后段
将做好的LED芯片进行封装
LED三个过程：材料生长、芯片制备(zhìbèi)、器件封装。
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外延(wàiyán)片制作
衬底
外延(wàiyán)
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可用LED衬底




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GaAs衬底
GaAs衬底：在使用LPE (液相磊晶)生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。
优点
晶格匹配，容易(róngyì)生长出较好的材料
不足
吸收光子
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蓝宝石Al2O3衬底
优点
化学稳定性好
不吸收可见光
价格适中
制造(zhìzào)技术相对成熟
不足
导电性能差
坚硬，不易切割
导热性差
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SiC衬底
优点
化学稳定性好
导电性能好
导热性能好
不吸收(xīshōu)可见光
不足
价格高
晶体品质难以达到Al2O3和Si那么好
机械加工性能比较差
吸收(xīshōu)380 nm以下的紫外光，不适合用来研发380 nm以下紫外
LED
目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE
公司。
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