实验二存储器实验.doc

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计算机组成原理实验报告
实验名称：静态随机存储器实验
实验类型：验证型
实验环境：TD-CMA系统、实验箱
指导教师：顾娅军
专业班级：信安1505班
姓 名：
学 号： 实验地点：东6E501
实 验 日 期：2017年4月25日
成绩：__________________________
实验目的
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法
实验过程
关闭实验系统电源，按图2-1-4所示连接实验电路，并检查无误
将时序与操作台单元的开关 KK1、KK3置为运行档、开关 KK2置为‘单步’档
将 CON单元的 IOR开关置为 1（使 IN单元无输出），打开电源开关，如果听到有“嘀”报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。
给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器实验原理图（图 2-1-3）可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动 ST产生 T3脉冲，即将地址打入到 AR中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动 ST产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图 2-1-5所示（以向 00地址单元写入11H为例）
（5） 依次读出第 00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭 IN单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图 2-1-6所示（以从 00地址单元读出 11H为例）：
图2-1-7 数据通路图
实验结果
以给地址为15H（00010101）的单元写入42H（01000010）为例，从二进制地址单元输入00010101后，产生脉冲将地址打入AR中，对应的代表地址的指示灯亮，地址输入成功；从二进制地址单元输入要写入的数据01000010，数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门，
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