大疆创新硬件笔试题【精选文档】
大疆创新硬件笔试题【精选文档】
大疆创新硬件笔试题【精选文档】
产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式,换句话说,产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源、耦合uCE ,集电结也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此时iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处于这种状态下工作的三极管称为饱和. 规定UCE=UBE时的状态为临界饱和态,图5-7中的虚线为临界饱和线,在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为: (5—1—4) 式中的ICS,IBS,UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压(饱和管压降)。当管子两端的电压UCE<UCES时,三极管将进入深度饱和的状态,在深度饱和的状态下,iC=βiB的关系不成立,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置会导电的状态下,在电路中犹如一个闭合的开关。 三极管截止和饱和的状态与开关断、通的特性很相似,数字电路中的各种开关电路就是利用三极管的这种特性来制作的. (3)放大区 三极管输出特性曲线饱和区和截止区之间的部分就是放大区。工作在放大区的三极管才具有电流的放大作用。此时三极管的发射结处在正偏,,特性曲线非常平坦,当iB等量变化时,iC几乎也按一定比例等距离平行变化。由于iC只受iB控制,几乎与uCE的大小无关,说明处在放大状态下的三极管相当于一个输出电流受I
大疆创新硬件笔试题【精选文档】
大疆创新硬件笔试题【精选文档】
大疆创新硬件笔试题【精选文档】
B控制的受控电流源. 上述讨论的是NPN型三极管的特性曲线,PNP型三极管特性曲线是一组与NPN型三极管特性曲线关于原点对称的图像.
1、什么是建立时间(Tsu)和保持时间(Th)
以上升沿锁存为例,建立时间是指在时钟翻转之前输入的数据D必须保持稳定的时间;保持时间是在时钟翻转之后输入数据D必须保持稳定的时间[1].如下图所示,一个数据要在上升沿被锁存,那么这个数据就要在时钟上升沿的建立时间和保持时间内保持稳定.
PCB Layout中的3W线距原则
串扰(Crosstalk)是指信号线之间由于互容(信号线之间的空气介质相当于容性负载),互感(高频信号的电磁场相互耦合)而产生的干扰,由于这种耦合的存在,当一些信号电平发生变化的时候,在附近的信号线上就会感应出电压(噪声),在电路设计中,抑制串扰最简单的方法就是在PCB Layout中遵循3W原则。
3W原则是指多个高速信号线长距离走线的时候,其间距应该遵循3W原则,如下图1所示,3W原则要求相邻信号线中心距离不能少于线宽的3倍,据一些资料记载的,满足3W原则能使信号间的串扰减少70%.我们在对高速信号,例如DDR3,PCIE,SATA2等布线的时候都会遵循这个原则。
只要是接触过Layout 的人都会了解差分走线的一般要求,那就是“等长、等距”。等长是为了保证两个差分信号时刻保持相反极性,减少共模分量;等距则主要是为了保证两者差分阻抗一致,减少反射.“尽量靠近原则”有时候也是差分走线的要求之一.
11、锁存器、触发器、寄存器三者的区别.
触发器:能够存储一位
大疆创新硬件笔试题【精选文档】 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.