ETCH名词解释.doc

ETCH名词解释.doc专有名词解说 一ETCH
♦英文名词：ETCH
♦中文名词：蚀刻
◊定义：
利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程
◊说明：
使用物理方法（离子撞击）或是化学方法（薄膜与气体或是液体反应）, 将薄膜或是基材不需要的部专有名词解说 一ETCH
♦英文名词：ETCH
♦中文名词：蚀刻
◊定义：
利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程
◊说明：
使用物理方法（离子撞击）或是化学方法（薄膜与气体或是液体反应）, 将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护, 保留下来。
◊使用例子：
Poly etch、SiN etch、Contact etch Metal etch、Pad etch
上光阻作为Mask
蚀刻步骤
PR PR
PR
PR
光阻去除
可以控制蚀刻时的方向性，得到平直的蚀刻剖面，但一般一次都只 能蚀刻一片芯片
Film
专有名词解说一ETCH
♦英文名词：Dry Etch
♦中文名词：干蚀刻
◊定义：
利用气体作为与薄膜反应的物质，用物理或是物理加化学的反应去 除材料
◊说明：
电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如 CF4电浆系统可蚀刻SiO2。
◊特性：
♦中文名词：湿蚀刻
◊定义：
利用在溶液中的化学反应，将材料移除的过程
◊使用例子：
使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸 H3PO4溶液去除Si3N4薄 膜、使用氢氟酸HF蚀刻SiO2。
◊特性：
蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为 Batch式。
PR
PR
PR _溶液
溶液
湿蚀刻制程示意图
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♦中文名词：电浆
◊定义：
将气体加上电压，形成一个部分离子化的气体系统，成分包含离子、 电子、分子与原子团。
◊说明：
电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度 大概是109〜1011/cm3,而离子比中性粒子的比例是10-4〜10-6。
◊使用例子：
干蚀刻技术--电浆蚀刻、PECVD (Plasma En ha need CVD)
l|'|l
抽气
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♦英文名词：Isotropic / Ani sotropic
♦中文名词：等向性/非等向性
◊定义：
蚀刻等向性：表示每个方向的蚀刻速率都是一样的 蚀刻非等性性：表示不同方向的蚀刻速率不同
◊说明：
一般干蚀刻技术可以得到非等向性的蚀刻结果，湿蚀刻技术大多是 等向性的。
非等向性蚀刻示意图
等向性蚀刻示意图
基材
PR
R3/
R2
PR
j
R1
基材
基材
专有名词解说 一ETCH
♦中文名词：选择比
◊定义：
蚀刻的选择比，指同一个蚀刻方法对于不同薄膜蚀刻率的比值
◊说明：
被蚀刻薄膜/下层薄膜的选择比，会影响到蚀刻最后的结果，通常选 择比愈大，蚀刻制程的控制能力愈好。
选择比小,下层薄膜受损
而且光阻出现削角
选择比极小基材受损, 光阻削角成为锥状
PR
PR
被蚀刻 薄膜
被蚀刻
薄膜
下层薄膜
选择比大控制良
被蚀刻
薄膜
下层薄
膜
被蚀刻
薄膜
下层薄
膜
基材
基材
基材
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♦英文名词：Profile
♦中文名词：剖面轮廓
◊定义：
半导体制程中，Profile指组件的侧面剖面轮廓
◊说明：
蚀刻制程主要就是控制剖面轮廓，成为理想中的图形。轮廓包含了 蚀刻的宽度、深度、角度等。
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侧边轮廓线Profile
专有名词解说 一ETCH
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♦英文名词：CD (Critical Dime nsio n)
♦中文名词：微距
◊定义：
半导体制程中，重要层次的线宽、线洞的距离尺寸
◊说明：
用来仿真黄光与蚀刻制程优劣的重要参数，例如 Poly CD、Con tact
CD 等，通常以 SEM (Scanning Electron Microscope量测
Contact CD
Poly CD
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组件侧面图
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♦英文名词：AEI (After Etchi ng In