boost斩波电路升压斩波电路电力的电子技术课程设计.docx

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汗者乃,么遂
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以上资料仅供参考，如有侵权，,Ud',,即趋近丁接近电阻负载时de特性.
通常在设计时根据负载de情况选择电容C值,使,T为交流电源de周期,此时输出电压为：******@.
图2-1b电容滤波de单相不可控整流电路输出电压与输出电流de关系
2〕电流平均值输出电流平均值质为：IrUd/RIdIr
二极管电流iD平均值为：ldId/2Ir/2
3〕二极管承受de电压：〔boost〕斩波电路主电路设计1〕升压斩波电路de原理图如以下图:
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图2-2a升压斩波电路原理图
E"offo
图2-2a中假设L值、C值很大,V通时,E向L充电,充电电流包为I1,同时Cde电压向负载供电,因C值很大,输出电压uo为包值,记为U6设V通de时间为ton,此阶段L上积蓄de能量为EI1ton;V断时,,如此此期间电感L释放能量为Uo稳态时,一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等EIitonUo
EIitoff
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化简得：
toff
〔1〕
T/toff1,输出电压高丁电源电压,,调节其大小即可改变U6将升压比de倒数记作6,
toff
即T
.6和导通占空比a有如下关系：
1
〔2〕
因此,式〔1〕可表示为
1
1
Uo—E
1EC&
升压斩波电路能使输出电压高丁电源电压de原因：L储能之后具有使电压泵升de作用,电容C可将输出电压保持住.
2〕主电路工作原理
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图2-2b主电路工作原理图
其中示波器观察控制电路输出脉冲de宽度和幅值,电压表分别用来测电源、；PMW波由基丁SG3525de控制电路产生,.

随着电能变换技术de开展,,美国硅通用半导体公司推出了SG3525以用丁驱动N沟道功率MOSFETSG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强de单片集成PWME制芯片,它简单可靠与使用方便灵活,输出驱动为推拉输出形式,增加了驱动水平；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PW顾存器,有过流保护功能,频率可调,!号,用丁可控制斩波电路中主功率器件de通断,通过对占空比ade调节,,
反相输入亡
1
16
一1J
同相输入匚
2
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二乂
间步端u
3
14
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振混制嗣M1—
4
13
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7
10
二|闭锁控理
软FW喘1一
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二1补倍
图2-3aSG3525管脚图
土1%〕V,,脚6,脚7内有一个双门限比较器,内电容充放电电路,
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器还设有外同步输入端〔脚3〕.脚1与脚2分别为芯片内误差放大器de反相输入端、、静态特性要求,：
1脚：误差放大器de反相输入端；
2脚：误差放大器de同相输入端；
3脚：同步信号输入端,同步脉冲de频率应比振荡器频率fs要低一些；
4脚：振荡器输出；
5脚：振荡器外接电容C础,振荡器频率fs=1/CT〔+3R〕,R0为5脚与7脚之间跨接de电阻,用来调节死区时间,〜;