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光敏电阻光电池
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光电导探测器
光电导探测器是基于半导体的光电导效应制成的光电探测器，光电导效应的主要特点是受光照射时其电阻值明显变小，故又称为光敏电阻。光电导探测器广泛应用在工业自动阻，构成闭合回路。当光照光敏电阻时，其电导率发生变化，电阻值随之变化，那么流经整个回路的电流发生变化。负载上电流的变化反映了光照信号的变化。在负载上取出其变化信号，便达到了检测入射光信号的目的。光照时，光敏电阻的电阻值通常称为明电阻或亮电阻，无光照时的电阻称为暗电阻。
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模型
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结构示意图
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偏置电路
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等效电路
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二、特性
1．光照特性
图示出硫化镉光敏电阻的光照特性。光敏电阻受光照时的电流与不受光照时的电流之差，称光电流。由于有上述的光电流放大作用，它的灵敏度高，光照特性为非线性。在实用范围内，它们的关系可表示如下：
I——通过光敏电阻的电流；
U——加于光敏电阻的电压；
L——光敏电阻上的照度；
K——比例系数；
a——电压指数，一般近于1；
b—— 照度指数。。
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光谱特性与所用的材料有关，图(b)的曲线1、2、3分别示出硫化镉、硒化镉、硫化铅光敏电阻的光谱特性。从图可以看出，硫化铅光敏电
2．光谱特性
光敏电阻的光谱分布，不仅和材料的性质有关，也和工艺过程有关。例如硫化镉光敏电阻，随着掺铜浓度的增加，光谱峰值由5000埃移至6400埃。而硫化铅随薄层的减薄，光谱峰值位置移向短波方向。。
阻在较宽的光谱范围内有较高的灵敏度。
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本征光电导光谱特性
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3．伏安特性
图(c)的曲线1和2分别表示照度为零和某值时的伏安特性。如果所加电压越高，则光电流越大而且无饱和现象。对于大多数半导体，电场强度超过10伏／厘米时才开始不遵循欧姆定律。只有硫化镉是例外，它的伏安特性在100多伏时就产生转
折点而不再呈线性了。光敏电阻的最高使用电压由它的耗散功率所决定，而耗散功率又和面积大小、散热情况等有关。
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因为伏安特性成线性，光敏电阻除用积分灵敏度外，用比灵敏度也很方便。比灵敏度Sb的定义如下:
I—— 光敏电阻被照射时和黑暗时的电流差；
U—— 光敏电阻上所加的电压；
Φ —— 照射于光敏电阻上的光通量。
比灵敏度乘以电压就得积分灵敏度，积分灵敏度与电压成正比这是容易理解的，因为在相同的光通量下，光敏电路的电流与电压成正比。一般需要经过几百小时后，光敏电阻的灵敏度才趋稳定。光敏电阻的主要优点之一是积分灵敏度较高
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4．频率特性
图(d)的曲线l和2分别表示出硫化镉和硫化铅光敏电阻的频率特性。光敏电阻的频率特性较差，这是因为光敏电阻的导电性与被俘获的载流子有关，当入射光强上升时，被俘获的自由载流子到相应的数值需要一
定时间；同样，入射光强降低时，被俘获的电荷释放出来也是比较慢的，光敏电阻的阻值，要花一段时间后才能达到相应的数值(新的平衡值)，故其频率特性较差。有时以时间常数说明频率响应的好坏。当光敏电阻突然受到光照时，电导率上升到最终值的63％所花的时间，被称为上升时间常数。同样，降低时间常数是把器件突然黑暗时，其导电率降到起始值的37％(即降低63％)所花的时间。
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5．疲乏特性
图(e)的曲线l和2分别表示出型号不同的两种硫化镉光敏电阻的疲乏特性。初制成的光敏电阻，由于体内机构的不稳定，以及电阻体与其介质间的作用还没有达到平衡，所以性能是不够稳定的。
在人为地加温、光照及加负载情况下，经一至二个星期的老化，性能可达到稳定。光敏电阻在开始一段时间的老化过程中，有些样品阻值上升了，有些样品阻值下降了，各不一样，但最后总能达到一个稳定值，以后就不再变了。这是光敏电阻的主要优点，它以其高度的稳定性而被广泛地