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第02章双极型晶体管及其放大器
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§ 双结型晶体管
§ 双结型晶体管的结构及符号
双结型晶体管又称半导体三极管、晶体三极管、三极管，一般简称晶体管
uo=Uo+△uo
RL
共基直流放大系数
直流放大系数α与β之间有关系
图
交流放大系数
电流分配
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§ 三极管的特性曲线及主要参数

三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。以NPN型硅三极管为例，其常用的特性曲线有以下两种。
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（1）输入特性曲线
它是指在一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性曲线如图2-7所示。
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图2-7 三极管的输入特性曲线
死区
Uce增大，曲线会右移
UCE=0V
UCE=
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（2）输出特性曲线
它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。实验测得三极管的输出特性曲线如图2-8所示。
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图2-8 三极管的输出特性曲线
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一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。
① 截止区
三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点：
（a）发射结和集电结均反向偏置；
（b）若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0；
（c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。
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② 放大区
图2-8中，输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点：
（a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；
（b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：
IC=βIB
（c）对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；
（d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈；对NPN型锗三极管，有UBE≈。
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③ 饱和区
三极管工作在饱和状态时具有如下特点：
（a）三极管的发射结和集电结均正向偏置；
（b）三极管的电流放大能力下降，通常有
IC<βIB；
（c）三极管的UCE值很小，称此时的UCE为其饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES≈，锗三极管的UCES≈；
（d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。
三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，要工作在放大状态。
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三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压等，这些参数可以通过查半导体手册来得到。三极管的参数是正确选定三极管的重要依据，下面介绍三极管的几个主要参数。
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（1）共发射极电流放大系数β和β
它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法（共发射极）下的电流放大系数。
（2）极间反向电流
① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO
② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（3）极限参数
① 集电极最大允许电流ICM
② 集电极最大允许功率损耗PCM
③ 反向击穿电压
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IB(μA)
IC(mA)
ICM
当IC大于某值时，ß值会下降，当ß值下降到线性放大区ß值的70～30%时，所对应的电流为ICM。不同的晶体管、不同厂家，规定ß值下降数值不同。
当IC>ICM时，管子不一定损坏。
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U(B