半导体名词解释(精).doc

半导体名词解释(精)
1.        何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?
        答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善那三道步骤? 功能为何？
        答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：
①Well Implant ：形成N,P 阱区；
②Channel Implant：防止源/漏极间的漏电；
③Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。
20.  
      一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?
        答：一般包含下面几道步骤：
①光刻(Photo)及图形的形成；
②离子注入调整；
③离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗)
④光刻胶去除（PR strip）
21.        Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?
        答：①Gate oxide(栅极氧化层)的沉积；
②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；
③Poly 图形的形成(Photo)；
④Poly及SiON的Etch；
⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR strip）；
⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。
22.        Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？
        答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
23.        何谓 Gate oxide (栅极氧化层)?
        答：用来当器件的介
电层，利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关
24.        源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
        答：①LDD的离子注入（Implant）；
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid Thermal Anneal)。
25.        LDD是什幺的缩写? 用途为何?
        答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
26.        何谓 Hot carrier effect (热载流子效应)?
        答：, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏, 造成组件损伤。
27.        何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？
        答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer 时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)
28.        Spacer的主要功能?
        答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;
    ②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29.        为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺?
        答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;
②使注入离子扩散至适当的深度;
③使注入离子移动到适
当的晶格位置。
30.        SAB是什幺的缩写? 目的为何？
        答：SAB：Salicide block, 用于保护硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)
31.        简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?
        答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度)。
       
32.        何谓硅化物( salicide)?
        答：Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。
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