.电致发光(EL):发光材料在电场作用下,受到电流和电场的激发而发光的现象,是一个将电能直接转化为光能的一种发光过程(非热转换即不是通过热辐射实现的)。
.FED,PDP,LCD都存在问题,不能满足时代需求,所以研究更为高效的有机电致发光能带的连续性,加强界面层的连接;选择电极(阳极为高功函数的透明金属,透明导电聚合物和ITO导电玻璃;阴极为低功函数的金属,合金阴极,复合型阴极;掺杂有低功函数金属的有机层夹在阴极和有机发光层之间);改变基地结构,减少光的耦合损失,提高光输出;
.有机半导体只能靠从外部注入到导带中的电子和注入到价带中的空穴来导电。电子电流:I=nev(n为电子浓度,v为电子平均飘逸速度,e为一个电子携带的能量),I=Q/t(Q为单价面积注入的电荷,t为为从阳极渡越到阴极的时间),Q=neL(L为阳极到阴极的距离),Q=CV(C为单位面积电容,C0=2e/Leh
Leh=L/2,I=&vV/L2V=EV/L得I=&&V2/L3)这是理想绝缘体的空间电荷限一一,,u=fioexpf—}exp(y^E)…
制电流公式。Poole-FrenKel公式产产'"),其中
nQ9,C材料相关的因子,k为Boltzmann,T为绝对温度,E为电场强度。产生载流子迁移率对电场强度和温度的Poole-FrenKel形式的依赖性的原因是载流子跳跃式导电机制
.改善空穴注入能力:用氧等离子体处理和紫外线臭氧处理;插入一些空穴注入材料;将空穴传输材料部分氧化;阳极界面处理(ITO电极经含硅的三胺空穴传输材料自组装;无机物插层:含聚合物EL器件在ITO上自组装一层PEDOT-PSS作空穴注入和传输层,二价过度金属化合物及相应的氧化物可作为ITO阳极的修饰
材料和电子阻挡层)
.空穴传输材料:芳香族三胺类化合物(此类化合物具有低的电离能,在传递过程中所客服的结构重组能量较低,有利于空穴传输,但其玻化转变温度低。所以近年来一般采用熔点高和玻化转变温度高的空穴传输材料,具有成对偶联,星形,螺形和枝化等特定空间构型的化合物可以提高玻化转变温度,成膜性好,空穴传输能力高);含三芳胺单元的共腕聚合物(具有很高的玻化转变温度);咔唾类化合物(特定拓扑结构的此类化合物具有很高的空穴传输能力);有机硅空穴传输材料(在ITO上形成的薄膜有效的改善了电极平整度);有机金属配合物。
.电子传输材料:具有大共腕结构的平面芳香族化合物(较好的接受电子能力,在一定的正向偏压下又可以有效的传输电子);金属配合物(Alq3,高Ea和Ip及好的热稳定性和成膜性。对其进行化学修饰合成一系列化合物具有更好的的性能);恶二唾类化合物(有机小分子恶二唾类,高Ea,高电子迁移率;星状恶二
唾类,高玻化转变温度,高Ea,Ip;恶二唾类聚合物,高Tg,不易结晶易进行掺杂,易溶解于有机溶液中);含氮五元、六元杂环;含氟基和亚胺的电子传输材料;全氟化得电子传输材料,有机硼电子传输材料;曝吩寡聚合物。
.空穴阻挡材料要求:具有较低的HOMO能级,有效的阻止空穴的传输,使激子复合区在发光层;具有大的电子亲和势和高的电子迁移率;稳定性好,能形成统一致密的薄膜。常用的空穴阻挡材料:BCP,用于OLED中,有阻挡激子/空穴传输
到电子传输层的作用;TPBI,低Ea,高Ip,比BCP有很大的改善;还有有
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