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用于可见光传感器的光电转换电路的制作方法
用于可见光传感器的光电转换电路的制作方法
本发明公开了一种用于可见光传感器芯片的光电转换电路，主要解决现有技术暗电流噪声影响可见光感测准度的问题。其包括光电二极管阵列(1)，暗电流光电二极管阵列明由于使用了光学镀膜的光电二极管阵列,抑制了非可见光成分噪声。
[0017]。
[0018]。【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为传统光电转换系统框图；
[0020]图2为是本发明光电转换电路框图；
[0021]图3为滤噪电路原理图。
【具体实施方式】
[0022]以下结合附图及其实施例对本发明作进一步描述。
[0023]参照图2，本发明的光电转换电路，包括光电二极管阵列1，暗电流二极管阵列2和滤噪电路3 ；
[0024]所述光电二极管阵列I，包含64个光电二极管,这些光电二极管上方均设有光学镀膜，其光学响应类似照度计。该64个光电二极管以并联的方式连接，通过控制逻辑选择接入电路的实际数目，其正极接地电位，负极接滤噪电路3的第一输入端；在有光照时从负极输出包含暗电流的光电流I1给滤噪电路3。
[0025]所述暗电流光电二极管阵列2，包含64个并联的光电二极管，这些光电二极管上方均设有金属屏蔽层，对光不响应。该64个光电二极管以并联的方式连接，通过控制逻辑选择接入电路的实际数目，其正极接地电位，负极接滤噪电路3的第二输入端；该暗电流光电二极管阵列2仅输出暗电流I2。
[0026]参照图3，本发明的滤噪电路3，包括失配校正单元4、运算放大器0P、四个NMOS管和六个PMOS管，即第一 NMOS管M1,第二 NMOS管M2，第三NMOS管M3,第四NMOS管M4 ;第一PMOS管M5,第二 PMOS管M6,第三PMOS管M7，第四PMOS管M8,第五PMOS管M13,第六PMOS管M14 ；
[0027]所述失配校正单元4，包含4个PMOS管，即第七PMOS管M9,第八PMOS管Mltl第九PMOS管M11,第十PMOS管M12 ;第七PMOS管M9和第九PMOS管M11的栅极与外部数字逻辑的控制信号N连接，该信号N为周期是可见光电流检测周期IT1倍的方波，n为正整数，占空比为50% ;第七PMOS管M9的源极与第八PMOS管Mltl的源极连接，并作为失配校正单元4的第一输入端，第七PMOS管M9的漏极接第十PMOS管M12的漏极，作为失配校正单元4的第一输出端；第九PMOS管M11的源极接第十PMOS管M12源极，作为失配校正单元4的第二输入端，第九PMOS管M11的漏极与第八PMOS管Mltl的漏极相连作为失配校正单元4的第二输出端；第八PMOS管Mltl和第十PMOS管M12的栅极均与外部数字逻辑的控制信号N的反相信号XN连接。
[0028]所述运算放大器0P，其同相端接基准电压VREF，反相端与自身输出端相接，并连接到第三NMOS管M3与第二 PMOS管M6的漏极；
[0029]所述第五PMOS管M13和第六PMOS管M14,其源极接高电位VDD，其栅极相连并接于第三PMOS管M7的漏极，第五PMOS管M13的漏级接失配校正单元4的第