一种控制电路的制作方法.docx

一种控制电路的制作方法
专利名称：一种控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电力电子领域、电子信息领域，尤其涉及一种控制电路。
背景技术：
随着工业技术的发展，对以变频器为主的电机调速装置提出了越来越高的要求，尤其是高性能等，继电器隔离的缺点是动作时间偏长，光耦隔离的缺点是驱动能力较弱，在本优选实施例中，选用价格低廉、动作延时较短、驱动能力较强的变压器做隔离，实现信号发生电路与驱动电路的电气隔离。通过电气隔离，可有效防止信号发生电路与驱动电路之间的信号干扰，避免误触发。驱动芯片输出能力较强的驱动信号驱动PNP型三极管Q21的开通和关断，引起变压器Tl原边磁场和电压的变化，变压器的副边将感应到的电压经D21整流后输出，从而实现驱动信号从信号发生电路到驱动电路的隔离传输。变压器Tl的隔离可以做到几千伏，根据工况使用的需要定制变压器即可。D21和Tl的I脚和3脚之间的绕组组成吸收回路，用来对驱动变压器T I进行磁复位，防止T I变压器饱和。驱动电路采用图腾柱式的推挽驱动电路，Q22和Q23组成图腾柱式的推挽驱动电路，Q22的集电极接+5V，Q23的集电极接-5V，三极管Q22、Q23的两个共基极连接变压器的副边，两个共发射极连接功率电路中的可控硅，当基极为低电平时，Q23导通、Q22关断，发射极输出为-5V，信号DRV经过驱动电阻网络下拉到-5V，减去驱动电阻网络上的压降，信号DRV的电压约为-3V，这样驱动信号的低电平就被拉到了约-3V，即使地回路存在噪声或者 受到强电磁干扰，可控硅门极的低电平可以保持在零电平以下，从而保证可控硅的完全关断且不容易发生误导通。当基极为高电平时，Q22导通、Q23关断，由于D23的反向截止特性，使得开通过程中R24被处于旁路状态，发射极输出为+5V，+5V减去可控硅驱动电压后再除以电阻R23就是驱动电流，根据可控硅的具体型号选择合适的驱动电阻R23。R21为Q22基极限流电阻，主要为控制Q22开通提供合适的驱动电流；R22为Q22和Q23的偏置电阻，它保证Q22关断的同时开通Q23，这时驱动电路输出负电压。本实施例使得信号发生电路在未发出开通信号时，或者信号发生电路发出关断信号时，被驱动的可控硅缺省状态为关断，由于负电平的存在不但保证可控硅SCR21关断，而且也不会发生因驱动电路受干扰而引起的可控硅误触发现象发生。R23、R24、D23、D24共同组成可控硅的驱动限流网络，因D23、D24的单向导通性，可控硅SCR21导通时，驱动电流流过R23 ;可控硅SCR21关断时，驱动电流流过R24，可以根据不同可控硅的需求，方便灵活调整R23、R24电阻的阻值大小从而实现不同的开通和关断驱动电流。功率电路主要是可控硅SCR21。其阴极K与驱动电路的地连接在一起。SCR21的门极G接驱动信号。SCR21的阳极为A，可控硅SCR21接收到驱动信号后，AK导通，实现开关的功能。本实用新型采用的隔离电路可以有效阻止功率回路中产生的干扰信号窜到信号发生电路，从而降低了误导通的可能性。进一步地，驱动电路为图腾柱式推挽结构，增强了对驱动电路的驱动能力，且关断的时候有负电压，使得关断更加可靠，更加降低了误导通的可能性。本实施例的控制电路，通过在驱动电路的一个集电极采用负电压，可在可控硅不完全关断或者关断不可靠的情况下，避免电荷积