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控制芯片片内存储装置及其存储方法
专利名称：控制芯片片内存储装置及其存储方法
技术领域：
本发明涉及计算机通信技术领域，尤其涉及一种控制芯片片内存储装置及其存储方法。
固定为每个通道分配存储空间的片内存储方法虽然电路结构比较简单，实该通道链表中的数据。
所述的步骤c包括c1、根据块指针信息确定读指针，并通过配置RAM控制单元更新当前的配置RAM阵列的RP_RAM中的读指针信息；c2、根据输出的数据信息更新配置RAM阵列中的数据量值，对于配置RAM阵列的DW_EOF_RAM中的带有EOF的数据的数量值，则需要判断是否发生变化，如果发生变化，则将该数量值更新，否则，不作更新操作。
所述的步骤d包括d1、根据更新后EOF值判断当前的通道链表中是否存在带EOF的数据，如果存在则保持“”的状态，否则，令“”的状态为零值；
d2、根据更新后的读指针值和预取的LWM(低水标)值，判断当前通道的存储链表中存储数据所占用的Block数是否已经被读数据操作减少到LWM所设定的门限值以下，如果是，则令此通道的“”状态为零值；否则，保持“”状态，不作任何更新操作；d3、根据更新后的读指针值，判断当前通道的存储链表中所有的数据是否都已被读数据操作全部读完，如果是，则令此通道的“”状态为零值；否则，保持“”状态，不作任何更新操作；d4、自动把此通道的“”状态更新为零值。
所述的步骤a包括多通道数据缓存控制/状态单元的系统总线侧接收写数据的命令。
所述的步骤b包括b4、多通道数据缓存控制/状态单元根据内部的各通道链表状态的“”的值选择允许写数据的通道链表，并确定通道号，并建立针对该通道的配置RAM阵列中信息的中间状态；b5、多通道数据缓存控制/状态单元根据确定的通道号，通过配置RAM控制单元读取配置RAM阵列中的WP_RAM、DW_EOF_RAM、WM_RAM值；b6、根据读取的WP_RAM、DW_EOF_RAM、WM_RAM中的各值，通过数据RAM读写控制单元向双端口数据存储RAM中写数据。
所述的步骤b6包括
b61、根据WM_RAM中的门限值及DW_EOF_RAM中的数据量值判断该通道链表中是否已经写满数据，如果是，执行步骤b62，否则，执行步骤b63；b62、请求将该通道链表中的数据输出，并在该通道链表中的数据输出后，执行步骤b61；b63、开始一个写数据操作，即根据WP_RAM中的写指针值向双端口数据存储RAM中写数据，执行步骤c。
所述的步骤c包括c3、根据块指针信息确定写指针；根据写入的数据信息确定DW_EOF_RAM中所存放的数据量值和带有EOF的数据的数量值，对于带有EOF的数据的数量值则需要判断是否发生变化，如果发生变化，则更新该值，否则，不作更新操作；c4、在每次写数据操作完成后，通过所建立的中间状态进行写指针和DW_EOF_RAM中各值的更新；c5、在本轮的多次写数据操作结束时，将上述中间状态中的各参数值通过配置RAM控制单元回写到当前的配置RAM阵列中；所述的步骤d包括d5、根据更新后EOF值判断当前的通道链表中是否存在带EOF的数据，如果存在，则令“”的状态为非零值，否则