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具有存储器和存储器控制器的存储系统及其操作方法
专利名称：具有存储器和存储器控制器的存储系统及其操作方法
技术领域：
本发明的示例性实施例涉及一种存储器、存储器控制器及存储系统，更具体而言，涉及在存储器中处理制造缺陷的技术。
背景技(存储体一模块一单元矩阵一存储单元)的存储器100内部的数据存储装置。各个部件的结构和数目可以根据存储器的类型和容量(例如，DDR2SDRAM、DDR3SDRAM、NAND-FLASH 以及 N0R-FLASH)而不同。图3是根据本发明的一个实施例的存储系统的配置图。
参见图3，存储系统包括存储器100和存储器控制器110。存储器100是用于储存数据的集成电路芯片，并且可以包括DRAM、FLASH、PCRAM等。所有种类的存储器100均是在存储器控制器110的控制下储存数据并且输出储存的数据。存储器100包括数据储存区域101，所述数据储存区域101具有参考图I与图2所描述的结构并且在其中储存数据；用于控制数据储存区域101的电路；以及缺陷单元地址信息储存单元102，所述缺陷单元地址信息储存单元102用于储存缺陷单元地址信息。图3中未示出电路。在存储器100与存储器控制器110之间，提供了数据通道DATA CHANNEL、指令通道CMD CHANNEL、以及地址通道ADD CHANNEL，经由数据通道DATA CHANNEL传送数据，经由指令通道CMD CHANNEL传送指令，而经由地址通道ADD CHANNEL传送地址的。根据存储系统的不同，通道可以彼此集成或彼此分开。图3示出数据通道DATA CHANNEL、指令通道CMDCHANNEL以及地址通道ADD CHANNEL彼此分开。
存储器控制器110包括具有用于控制存储器100的一个或更多个控制逻辑111和用于储存如下所述的缺陷单元地址信息的缺陷单元地址信息储存单元112。根据本发明的所述实施例，测试存储器100以检测缺陷地址、即在制造存储器100之后的缺陷单元的地址，但可以不是基于测试结果进行修复。即，在现有修复方法描述的处理之中(1)经由测试确定缺陷单元在存储器中的位置，(2)通过分析缺陷单元的数目和位置来得出修复值，以及(3)响应于得出的修复值通过在存储器内部编程熔丝电路来用冗余单元代替缺陷单元，只执行处理(I)，而可以不执行其他处理(2)和(3)。另外，经由处理
(I)检测的缺陷地址存储在存储器100内部的缺陷单元地址信息储存单元102中。下面描述在没有处理(2)和(3)的情况下如何可以正确地操作存储器。图4是示出存储系统的操作方法的流程图。在制造存储器100之后经由存储器100的测试确定存储器100内部的缺陷单元的位置时，可以执行图4的操作方法，并且缺陷地址储存在存储器100内部的缺陷单元地址信息储存单兀102中作为确定结果。参见图4，在步骤S410，向存储器100提供电源。在步骤S420，在向存储器100提供电源之后，将缺陷单元地址信息从存储器100传送到存储器控制器110。由于要先执行步骤S420以合理地操作存储系统，所以可以在存储器100的初始化操作时执行S420。可以经由在存储器100与存储器控制器110之间提供的诸如数据通道DATACHANNEL、指令通道CMDCHANNEL以及地址通道ADD CHANNEL的通道来执行从存储器100到