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一种高低压转换电路的制作方法
专利名称：一种高低压转换电路的制作方法
技术领域：
本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种高低压转换电路。
背景技术：
在集成电路制造领域，最新的工艺首先被应用于数字芯片的生产和设计， 然后在工艺中之处是 一方面，本发明所述的高低压转换电路 不需要使用齐纳二极管，均使用MOS管、三极管、电阻和电容等标准器件，不 需要额外定制，降低了芯片成本和调试费用；另一方面，高低压转换电路中的 部分MOS管通过低压工艺实现，较大地减小了实现面积。
图1为现有高低压转换电路的示意图2为本发明所述高低压转换电路的第一实施例的示意图； 图3为本发明所述高低压转换电路的第二实施例的示意图； 图4为本发明所述高低压转换电路的第三实施例的示意图。
具体实施例方式
如图2所示的一种高低压转换电路，包括基准电流产生电路21、低压产生 电路22和输出稳压电路23。其中，基准电流产生电路21为低压产生电路22提 供基准电流；所述低压产生电路包括寄生PNP、补偿电阻和低压MOS管，寄生 PNP、补偿电阻和低压MOS管为输出稳压电路提供稳定的驱动电压；所述驱动 电压通过由第一电流镜、在输出稳压电路中通过稳压电容输出稳定的低压VCC。
第一电流镜包括低压产生电路22上的第十NMOS管M210和输出稳压电路 23上的第十一NMOS管M211。其中，第十NMOS管M210的栅极与漏极连接 在一起，所述基准电流输入其漏极；第十一NMOS管M211的漏极接入输入电 压VDD，源极与地之间接入稳压电容C230，由稳压电容C230输出低压VCC。基准电流产生电路21可以采用如下结构-
基准电流产生电路21包括第二、三和四电流镜。其中，第二电流镜包括二 个尺寸相同的第一 PMOS管M201和第二 PMOS管M202， 二者的源极均接入 输入电压VDD，栅极彼此连接，第一PMOS管M201的栅极与漏极连接在一起； 第三电流镜包括第三NMOS管M203和第四NMOS管M204， 二者的漏极分别 与第一PMOS管M201的漏极和第二 PMOS管的漏极M202电连接，二者的栅 极彼此连接，第四NMOS管M204的漏极与栅极连接在一起；第四电流镜包括 第五NMOS管M205和第六NMOS管M206， 二者的漏极分别与第三NMOS管 M203的源极和第四NMOS管M204的源极电连接，二者的栅极彼此连接，第 六NMOS管M206的漏极与栅极连接在一起，第六NMOS管M206的源极与地 之间串接电阻R220;基准电流产生电路21通过第五电流镜为低压产生电路22 提供基准电流，第五电流镜包括所述第一 PMOS管M201和低压产生电路22上 的第七PMOS管M207， 二者的栅极连接在一起，第七PMOS管M207的源极 接入输入电压。
设第五NMOS管M205和第六NMOS管M206尺寸比为1: w ，则第五NMOS 管M205栅源电压~2Q5 、第六NMOS管M206的栅源电压，流过电阻R220 (阻值为^22())的电流/之间的关系为
该电流的计算公式如下
2 11，
/ =_f-*…(1 — _^_)2 (2)
A",雄"，2 其中，//"为电子迁移率，C^为单位面积的栅氧化层电容，(『")2。6为第六NMOS管M206的沟道宽度与沟道长度的比值。从式(