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一种闪存控制器以及闪存控制方法
专利名称：一种闪存控制器以及闪存控制方法
技术领域：
本发明涉及一种闪存管理装置，具体涉及一种闪存控制器的设计技术。
背景技术：
随着闪存大量在终端设备中使用，闪存的存储容量也越来越大，而用户对于闪施例中存储器可以采用RAM来实现，一种实现方式为将原子操作指令存储器设置为第一级RAM，将微码存储器设置为第二级RAM。
原子操作指令和微码的装载方式有两种一种是通过非易失性存储器将其分别装载到第一级RAM和第二级RAM ;另一种是通过装载器软件将原子操作指令和所述微码分别装入第一级RAM和第二级RAM中。在一种实施方式中，指令分解模块将闪存控制命令分解后的原子操作指令为RISC指令集。实施例二如图3所示，为本发明下挂闪存阵列闪存控制器的工作原理，与实施例一的区别在于闪存控制器中设置有多个微码存储器和多个闪存控制单元，每个闪存通道的闪存芯片组分别对应一个微码存储器和一个闪存控制单元。这样可以实现对不同闪存通道的闪存芯片的并行处理。每个通道内的多个闪存芯片也可以实现并行处理。即每个闪存控制单元对于每个通道内的不同的闪存芯片发送流水线操作信号，即每个通道的不同闪存芯片在接收到流水线操作信号后也可以实现并行操作。这种设置方式进一步提高了闪存读写速度。 实施例三如图4所示，为本发明闪存控制方法流程，包括以下处理过程主机命令分解将主机的闪存控制命令分解成原子操作指令。即指令分解模块将主机发来的闪存控制命令分解成闪存可识别原子操作指令，一种优选的方式是将其分解为RISC指令集。编码和装载将原子操作指令编译成微码，并将原子操作指令和所述微码装入存储器单元；具体可以分别将其装入原子操作指令存储器和微码存储器，存储器可以采用RAM来实现，原子操作指令存储器设为第一级RAM，微码存储器为第二级RAM。装载的方式包括通过非易失性存储器装入和通过或者装载器软件装入。取址当主机发送某条闪存控制命令时，闪存控制器接收主机发送的闪存控制命令，获取该命令对应的原子操作指令在存储器单元中的地址信息；从而得到原子操作指令，例如可以是RISC指令集中的某条指令。译码根据对应的原子操作指令在存储器单元中获取对应的微码信息，并读取该微码；执行将微码信息经过闪存控制单元解析成闪存可以识别的操作信号，并执行所述操作信号。同时根据微码获得下一条原子操作指令的地址，依次执行直到该闪存控制命令对应的指令序列执行完毕。对于需要新增加闪存控制命令时，只需要将新增加的闪存控制命令通过指令分解单元分解成原子操作指令，即修改原子操作指令存储器和微码存储器(或第一级RAM和第二级RAM)即可，而不需要去修改闪存控制单元。以上所述实施例，仅为本发明的较佳实例而已，并非用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
，其特征在于，所述闪存控制器包括指令分解模块、指令编码模块和闪存控制单元； 所述指令分解模块，用于接收主机的闪存控制命令，并将其分解成原子操作指令； 所述指令编码模块，用于将所述原子操作指令编译成微码； 所述闪存控制单元，用于将所述微码解析成闪存可以识别的操作信号， 并执行所述操作信号。
，其特征在于，所述指令编码模块还包