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一种数据处理方法
专利名称：一种数据处理方法
一种数据处理方法
技术领域：
本发明涉及一种数据处理方法，特别涉及一种大规模数据处理方法。
背景技术：
超材料的设计与应用远超出一般材料，其复杂性和大规模数据的级别比一般材料高出几个为RS-274-X格式或RS-274-D格式。本发明还涉及一种生成超材料单元结构的系统，包括以下模块数据获取模块用于在CPU端，获取待处理的多个超材料参数数据；数据载入模块与数据获取模块连接，用于将超材料参数数据存入CPU端的固定内存；数据映射模块与数据载入模块连接，用于在GPU端内存中声明超材料单元结构的指针，该指针映射到CPU端的固定内存；数据转换模块与数据映射模块连接，实现CPU控制GPU内核函数使其调用指针，将多个超材料参数数据并行转换成相应的超材料单元结构。本发明针对现有技术的不足，利用图形处理单元GPU强大的图形计算能力实现真正意义上多线程并行转换的方法，从根本上解决了现有方法存在的系统内存不
足的问题，极大地减少了系统内存的消耗，和提高了数据转换速度。
图I为CPU的结构示意图2为GPU的结构示意图；图3是本发明数据处理方法的数据转换关系图；图4是本发明数据处理方法的具体流程图；图5是本发明单个超材料参数数据的数据结构示意图。
具体实施方式下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。图3、4是本发明数据处理方法的流程图；图3、4所示的数据处理方法包括以下步骤
SI :在CPU端，获取待处理的超材料参数数据；在步骤SI中，超材料参数数据包括参数长，宽，高，介电常数以及磁导率也不仅仅限于上述参数，超材料参数数据的数据结构示意图如图5所示，本发明的创新点在于设计了一种便于转换的超材料数据结构，较现有方法，更有效的对超材料参数数据进行管理，减少了不同单元结构数据的出错率。S2 :在CPU端，将超材料参数数据存入固定内存；在步骤S2中，固定内存(pinned memory)始终存在于物理内存中。S3 :在GPU端内存中声明超材料单元结构的指针，指针映射到CPU端的固定内存；S4 =CPU控制GPU内核函数调用指针，将多个超材料参数数据并行转换成相应的超材料单元结构。本发明的创新点在于，使用CPU端的分页内存，并设置与GPU内存映射，避免了 GPU内存不足的缺点，使得转换超大超材料单元结构也能顺利完成；在GPU端，声明超材料结构单元的指针，并调用GPU的内核函数设置GPU内存与CPU内存的映射关系。接着，利用GPU的低开销线程对每个单元结构进行一一转换。例如，假设GPU可以一次处理10组超材料参数数据，倘若在CPU中运行，为串行运行一次只能处理一组超材料参数数据，即串行处理时间约为10个单位时间，而致使效率低下。倘若在在GPU中运行，预设GPU端内存至CPU端内存的映射，GPU端内存存储超材料参数数据在CPU端内存的物理位置，GPU调用内核函数，可并行的对10组超材料参数数据进行运算，大大减低了处理时间。转换过程结束后，将所得的超材料单元结构保存至实体数组。将实体数组输出至一个或多个工业标准文件中。工业标准文件可以按照dxf或gerber文件的标准生成，但也不仅仅限于上述文件。其中，可生成不同版本的标准dxf文件，dxf文件为AC1006、AC1009、AC1012、AC1015、AC1018、AC1021