干刻工艺介绍.ppt

干刻工艺介绍
第一页，共16页。
干蚀刻原理
1
2
干蚀刻模式
3
干蚀刻工艺参数
4
干蚀刻反应方式
干蚀刻评价项目
6
第二页，共16干刻工艺介绍
第一页，共16页。
干蚀刻原理
1
2
干蚀刻模式
3
干蚀刻工艺参数
4
干蚀刻反应方式
干蚀刻评价项目
6
第二页，共16页。
镀膜(PVD、CVD)
上光阻(Coater)
光罩
曝光(Exposure)
去光阻液
(Stripper)
去光阻
蚀刻 (Dry、Wet)
酸
气体
镀
下
一
层
膜
显影(Developer)
显影液
清洗
第三页，共16页。
非金属层
GI
ES
PAS1/PAS2
SiO2
SiNx
O2 He Ar
+
CF4 Cl2 BCl3
SiF4
气体，
易于抽走
干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式；
干蚀刻原理
第四页，共16页。
Plasma
基板
光阻
薄膜
光阻
光阻
去掉不想要的薄膜
留下想要的
第五页，共16页。
①化学反应-等向性刻蚀
物理反应-异向性刻蚀
SiF4
Plasma
Plasma
F*
SiF4
F*
干蚀刻反应方式
第六页，共16页。
干蚀刻模式
plasma
F*
F*
F*
plasma
CF2+ F*
plasma
CF2+ F*
plasma
CF2+ F*
RIE mode
ECCP mode
PE mode
ICP mode
Plasma Etching
Reactive Ion Etching
Enhanced Capacitive coupled Plasma
Inductively Coupled Plasma
第七页，共16页。
干蚀刻工艺参数
工艺参数
温度
压力
RF
power
过刻
时间
蚀刻
时间
气体
流量
第八页，共16页。
评价
项目
ER/U%
Taper角
形态
下层膜
膜厚
下层膜
电性
Resist
残渣
信赖性
Contact
寸法
干蚀刻评价项目
第九页，共16页。
选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性
刻蚀率与均一性
刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，（ERmax ＋ERmin）/2/刻蚀时间（Å/min）
均一性：ERmax－ERmin/ERmax ＋ERmin
表示1枚panel内若干点之间ER的偏差
第十页，共16页。
选择比：ER上/ER下
被etching的膜和下层膜的ER的比例。
SiO/IGZO >7
SiO/金属 >7
SiN/ITO >7
下层膜膜厚
第十一页，共16页。
Taper角
Taper是指蚀刻后的断面倾斜度，是蚀刻制程中相当重要的要求，与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系。
≦80°
第十二页，共16页。
下层膜电性
金属阻抗
半导体特性
V
I
Vgl
Vth
Vgh
Vgl: 所有TFT全部关闭的Gate电压（一般设为-）。
Vgh: 所有TFT全部打开并稳定的Gate电压（一般设为27V）
V