静态存储器实验报告.pdf

: .
)
分析：如果是实验箱和 PC 联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测
实验结果，方法是：打开软件，选择联机软件的“实验——存储器实验”，打开
存储器实验的数据通路图（如下图所示）。进行手动操作输入数据，每按动一次
ST 按钮，数据通路图会有数据流动，反映当前存储器所作的操作（即使是对存
储器进行读，也应按动一次 ST 按钮，数据通路图才会有数据流动），或在软件
中选择“调试——单周期”，其作用相当于将时序单元的状态开关置为‘单步’
档后按动了一次 ST 按钮，数据通路图也会反映当前存储器所作的操作，借助于
数据通路图，可以仔细分析 SRAM 的读写过程。四、实验数据和结果分析
实验写入数据如图所示及分析
1．第一组地址和写入数据
⑴ 将 IN 单元地址置为 00000000，WR/RD/IOM/为 000,IOR=0，LDAR=1，按
动 ST 产生 T3 脉冲, 即将地址打入 AR 中，如图：

⑵ 写入数据：将 IN 单元数据置为 00010001，WR/RD/IOM/为 100,IOR=0，
LDAR=0，按动 ST 产生 T3 脉冲，如图：2．第二组地址和写入数据
⑴ 将 IN 单元地址置为 00000001，WR/RD/IOM/为 000,IOR=0，LDAR=1，按
动 ST 产生 T3 脉冲, 即将地址打入 AR 中，如图：

⑵ 写入数据：将 IN 单元数据置为 00010010，WR/RD/IOM/为 100,IOR=0，
LDAR=0，按动 ST 产生 T3 脉冲，如图：

3．第三组地址和写入数据
⑴ 将 IN 单元地址置为 00000010，WR/RD/IOM/为 000,IOR=0，LDAR=1，按
动 ST 产生 T3 脉冲, 即将地址打入 AR 中，如图：⑵ 写入数据：将 IN 单元数据置为 00010011，WR/RD/IOM/为 100,IOR=0，
LDAR=0，按动 ST 产生 T3 脉冲，如图：

4．第四组地址和写入数据
⑴ 将 IN 单元地址置为 00000011，WR/RD/IOM/为 000,IOR=0，LDAR=1，按
动 ST 产生 T3 脉冲, 即将地址打入 AR 中，如图：

⑵ 写入数据：将 IN 单元数据置为 00010100，WR/RD/IOM/为 100,IOR=0，
LDAR=0，按动 ST 产生 T3 脉冲，如图：5．第五组地址和写入数据
⑴ 将 IN 单元地址置为 00000100，WR/RD/IOM/为 000,IOR=0，LDAR=1，按
动 ST 产生 T3 脉冲, 即将地址打入 AR 中，如图：

⑵ 写入数据：将 IN 单元数据置为 00010101，WR/RD/IOM/为 100,IOR=0，
LDAR=0，按动 ST 产生 T3 脉冲，如图：