静态存储器实验报告.docx

静态随机存储器实验
组员：
组号：21组
日期：周二5、6节
【实验目的】
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读/写方法。
【实验设备】
实验仪一台、PC机一台（观察波形）
【实验原理】
由一片6116（2K x期分别为：f=, T=
(2)按图连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。
LDAR
图2静态随机存储器实验接线图
o □ o □
SW-B LDAHl CE WE
SWITCH UNIT
5 UNIT
ADP--AD7 WR
EXI E US
.ADDKESS UNIT
SWT3 SW-B
INPUT DEVICE
WKUNIT
T3 WE
czi □
（3）写存储器
SIGNAL UNIT
H23
STATE UNIT
⑤ IS3
二 F1
D7- - -D0
MAIN MEM
0…AO
W.'K CE
r :
r
J
O E
n
给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15。
由上面的存储器实验原理图看出，由于数据和地址全由一个数据开关来给出，这就要分时地 给出。下面的写存储器要分两个步骤，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1），打开地址 锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写存储单元的地址， 按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器，第二步写数据，关掉地址锁存器门控信号 （LDAR=0），打开存储器片选，使处于写状态（CE=0, WE=1），由开关给出此单元要写入的数 据，按动START产生T3脉冲将数据写入到当前的地址单元中。写其它单元依次循环上述步骤。
写存储器流程如下：（以向00号单元写入11为例）
（4）读存储器
依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写 入的一致。同写操作类似，读每个单元也需要两步，第一步写地址，先关掉存储器的片选（CE=1）， 打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0），由开关给出要写存储单 元的地址，按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地址锁 存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SW-B=1），片选存储器，使它处于读状态（CE=0， WE=0），此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读其它单元依次 循环上述步骤。读存储器操作流程如下：（以从00号单元读出1 1数据为例。
睥
CE-1
世批宙符君AR
(OOOOOOOflJ
SV\-B=L
CE-0
ldar-i
LDAR-D
（5）将存储单元内数据进行运算
在原来实验连线的基础上，按如下所示图连线
1皿虹皿？
SUHCM UWIT
2卯-B
CD CD
fw-m *LU-8
其中，由于某些端口需要重复连接，所以为防止出现运算错误，借连接到其他端口上。，如：ALU-B 借连接到299-B，LDDR1借连接到LDPC，LDDR2借连接到AR上。
①进行读操作，读出 03号地址中数据，然后置 SW-B=1,AL