丙二酸二芘酯类聚合物LB膜的制备及其光刻性质.pdf

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学位论文作者:多砌久学位论文作者:务匀欠原创性声明学位论文使用授权声明日期:知,厅钥汨日期:为,年铜珀本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人愿意承担由此产牛的一切法律责任和法律后果。本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品,知识产权归属郑州大学。根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权郑州大学可以将本学位论文的全部或部分编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或者其他复制于段保存论文和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时,第一署名单位仍然为郑州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。
弋叫一宁韦叱禜,呲线匕凡怀倒—狾—摘要芘酯类光致抗蚀剂材料,研究了其成膜性能及其光刻性质,并对其光刻机理进行‘目前,集成电路己从年代的每个芯片上仅含几十个器件发展剑现在的每个芯片上可包含亿多个器件,集成电路之所以能取得如此飞速发展,光刻技术在其中起到了极为关键的作用,而光刻胶的制备又是光刻技术中及为关键的部分。深紫外饪炭傻玫浇细叻直媛实耐枷瘢以旒郾阋耍菀灼占埃涤于工业生产等特点,因此,深紫外光刻成为当前研究的热点。光刻胶是光刻的核心要素,针对光刻胶的研发现状,本论文以深紫外光9饪坦庠础ぜ际跷9饪探撼赡な侄危杓撇⒑铣闪诵滦偷谋岫了研究。酆衔锏纳杓啤⒑铣杉捌浔碚鳎本文设计并合成了带有蓝色发光基团芘的光敏感雎体烯丙基丙二酸二芘甲酯谆┧彳偶柞,并和成膜物质十二烷基甲基丙烯酰胺,十六烷基甲基丙烯酰胺共聚,共合成了三大系列共聚物狣狣结构如图示浣峁狗直鹄弥势⒑焱夤馄贤饪杉馄⒑舜徘谱、核磁碳谱以及凝胶渗透色谱缺碚魇侄谓辛巳气定。图酆衔锝峁故疽馔,狢·····.
、鋈ù笪舛扔氤粱闶墓叵酆衔锓肿覮さ淖R菩阅丙烯酰胺类烷基链长及其含量对于共聚物的成膜性能有较大影响,本课题研究证明十二、十六烷基丙烯酰胺与合成的光敏感单体的共聚物不仅能够制备得到排列致密有序的膜,而且能将其成功地转移到亲水基片上制备多层均匀的膜。实验通过紫外仪、电子显微镜、原子力显微镜、膜测厚仪、湎哐射仪等对共聚物、—和—的膜进行了表征。,研究共聚物膜转移性能。如图疚J⒒蟨瓺膜的紫外光谱图,从图中我们可以看出,—膜在三处紫外吸光度与膜的沉积层数呈现出良好的线性关系,证明膜能够均匀地转移到基片上,可以制备得到排列有序的多层膜。图层膜光学显微镜中的荧光图,从分布均匀荧光点可以说明膜转移均匀。图⒒蟗酆衔風煌闶淖贤馕胀计层,纾琒在图杌瞎簿畚颾摘要/;插图为膜鉒し糯倍的荧光图、、——’
叠骥躺誊警绣:燃鬻凋誊慧蛩巍图9杌系ゲ鉨膜迹油贾锌梢苑⑾只嫌行矶喾植季大小相近的突起,说明分子在基片上取向较好,分子排列规整有序。。实验结果显示:光敏单体摩尔含量为.%的—聚合物具有好的光敏感性;经显影、湿法腐蚀、除去抗蚀层等工序,可得到分辨率为腖じ盒屯夹魏突崮ぷR仆夹巍M为硅片上层膜光刻后的光学显微镜图;图6平鹉げAЩ铣粱膜,经光刻、刻蚀后得到的金膜图案光学显微镜图。图杌瞎簿畚颾层弧膜光刻后放大兜墓庋晕⒕低摘要膜的原子力显微镜图图杵鉨辺噩∞妒”移;‘≮÷浮毫痹
酆衔風す夥纸饣硌芯分别用紫外、荧光、红外、热分析、凝胶渗透色谱等手段对聚合物的光刻机理进行了初步研究。研究结果表明,含有两个芘基团的烯丙基丙二酸二芘甲酯,在光照下,芘基团结构发生变化,生成类似菲、萘或其它类似共轭基团,最终芘的特征结构消失,同时伴随着酯分解生成部分羧酸。图为膜光照不同时间后的紫外光谱图。根据紫外、荧光、红外、凝胶渗透色谱、热分析等表征,推出聚合物可能反应机理如下:图平鸩AЩ蟗淌春蠓糯倍的光学显微镜图图⒒暇酆衔颾照射不同时间后的紫外吸收图谱:.摘要膜在范围内的吸收;范围内的吸收。
毋唱岫关键词:共聚物;ぃ还饪蹋豢淌贤夤庠凑丈鋌赡艿墓饣Х从摘要。对图—『
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