中国氮化镓行业概览.pptx

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中国氮化镓行业概览
2022ChinaGalliumNitrideIndustryOverview
2022年中国ガリウム窒化物業界の概要

概览标签:第三代半导体、氮化镓、氮化镓器件
名词解释
行业综述
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定义与介绍
发展历程
行业背景
市场现状
市场规模
相关政策
产业链分析
上游:原材料供应商
中游:氮化镓器件制造商
下游:应用领域
驱动因素与发展趋势
驱动观点一:5G通信基站的发展
驱动观点二:下游消费电子充电器需求大
发展趋势观点一:拓展新能源汽车应用市场
发展趋势观点二:拓展垃圾处理应用市场
竞争格局
企业竞争格局概述
地区竞争格局概述
企业推荐一:三安光电
企业推荐二:英诺赛科
企业推荐三:海威华芯
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目录CONTENTS
方法论
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法律声明
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目录CONTENTS
Terms
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OverviewofIndustry
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DefinitionandClassification
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DevelopmentHistory
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IndustryBackground
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MarketStatus
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MarketSize
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InvestmentandFinancingAnalysis
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ChainAnalysisofIndustry
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Upstream:RawMaterialSuppliers
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Mid-stream:GaNProducers
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Downstream:ApplicationSituations
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TheDiversandTrendsofChinaIndustry
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Divers1:Developmentof5GCommunicationBaseStations
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Divers2:LargeDemandforDownstreamElectronicChargers
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Trends1:ExpandtheApplicationMarketofNewEnergyVehicles
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Trends2:ExpandtheWasteTreatmentApplicationMarket
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目录CONTENTS
CompetitionLandscapeandRecommendedCompanies
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CompanyCompetitionLandscape
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DistrictCompetitionLandscape
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Company1:SananOptoelectronics
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Company2:Innoscience
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Company3:HIWAFER
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Methodology
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LegalStatement
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目录CONTENTS
图表1:氮化镓定义及结构图表2:氮化镓制备工艺
图表3:氮化镓行业发展历程图表4:半导体材料发展进程
图表5:半导体材料物理性能对比
图表6:氮化镓相关企业融资情况,2021-2022年
图表7:中国氮化镓行业市场规模及预测,2017-2026年预测图表8:氮化镓行业相关政策
图表9:氮化镓行业产业链图谱图表10:氮化镓衬底材料介绍
图表11:氮化镓衬底代表企业情况介绍图表12:氮化镓外延片介绍
图表13:氮化镓外延片代表企业情况图表14:氮化镓器件制造商经营模式图表15:氮化镓下游应用介绍
图表16:半导体行业应用领域
图表17:氮化镓下游应用领域介绍图表18:5G基站数量增长
图表19:5G基站通信逻辑
图表20:氮化镓充电器需求大
图表21:氮化镓拓展新能源汽车应用市场图表22:全球城市生活垃圾现状
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图表目录ListofFiguresandTables
图表23:氮化镓在垃圾处理中的应用
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图表24:中国氮化镓行业企业竞争格局分析
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图表25:中国氮化镓行业地区竞争格局分析
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图表26:三安广电企业介绍、营业收入及主营业为u结构
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图表27:三安光电核心产业及竞争优势
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图表28:英诺赛科企业介绍、融资情况、主要技术
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图表26:英诺赛科主要产品、竞争优势
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图表27:海威华芯企业介绍、发展历程、主要服务及竞争优势
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图表目录ListofFiguresandTables
氮化镓:化学式为GaN,英文名称为GalliumNitride,是氮和镓的化合物,属于第三代半导体材料,通常情况下为白色或者微黄色的固体粉末,具有稳定性高、熔点高、坚硬的特点。
碳化硅:是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成,属于第三代半导体。
砷化镓:是一种无机化合物,化学式为GaAs,英文名称为GalliumArsenide,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
禁带宽度:固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。
饱和电子漂移速率:在电场比较低的时候,整体电子的漂移速度与电场大小成正比。当电场大到一定值,电子整体的漂移速度不会再增加,达到饱和,这个速度就叫电子饱和漂移速率。
击穿场强:使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。
介电常数:介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数,通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状、尺寸一定时,介电常数ε通过测量压电智能材料的固有电容CP来确定。
热导率:是指当温度垂直向下梯度为1℃/m时,单位时间内通过单位水平截面积所传递的热量。
射频前端:射频前端是射频收发器和天线之间的一系列组件,主要包括功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer)和低噪声放大器(LNA)等,直接影响着手机的信号收发。
功率放大器:用于实现发射通道的射频信号放大,目前多使用氮化镓器件。
数模转换器、模数转换器:数模转换器是一种将二进制数字量形式的离散信号转换成以标准量(或参考量)为基准的模拟量的转换器,又称D/A转换器,模数转换器中一般都要用到数模转换器,模数转换器即A/D转换器,简称ADC,它是把连续的模拟信号转变为离散的数字信号的器件。
车载充电器:车载充电器是指常规通过汽车电瓶(轿车12V,卡车24V)供电的车载充电器,大量使用在各种便携式、手持式设备的锂电池充电领域。
DC-DC转换器:DC/DC转换器是将一个直流电压值的电能转换为另一个直流电压值电能的转换装置,主要由功率模块、驱动模块和控制模块三个部分组成。
HVPE法:在温度为850度温区内放入金属镓,呈液态后,从热璧上层注入氯化氢气体,形成氯化镓气体,后将氯化镓气体传送至衬底,在1,000度至1,100度温度下与氨气反应,最终生成氮化镓晶体。
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名词解释
气相传输法:化学气相传输法就是一种固体或液体物质A在一定的温度下与一种气体B反应,形成气相产物,这个气相反应产物在体系的不同温度部分又发生逆反应,结果重新得到A。此过程好像一个升华或蒸馏过程,但是在这样一个温度下,物质A并没有经过一个它应该有的有的蒸汽相,所以称为化学气相传输法。
助溶剂法/熔盐法:利用Ga和N的直接反应,波兰科学家开发了高压溶液法(HPNS)生长GaN晶体,通过增加温度(1600~2000K)和压力(15~20kbar)提高N在Ga熔中的溶解度,实现了小尺寸氮化镓晶体的生长和在HVPE籽晶上的外延生长。
氨热法:氨热法是一种在高温高压(400~750℃,1000~6000个大气压)从过饱和临界氨中培养晶体的方法,这种方法与水热法生长水晶的技术类似:晶体的培养是在高压釜中进行的。
金属氧化物半导场效晶体(MOSFET):是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应管。
GHz:千兆赫兹,简写为“GHz”,是交流电或电磁波频率的一个单位,等于十亿赫兹(1,000,000,000Hz)。
W:瓦特,英文Watt的缩写,是一种表示功率的单位,常用来指发电机组在额定情况下单位时间内能发出来的电量。
CASA:2015年在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的第三代半导体产业技术创新战略联盟。
IDM模式:集氮化镓器件的设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身,设计、制造各环节协同优化,有助于充分发掘技术潜力;能有条件率先实验并推行新技术。
Fabless模式:只负责氮化镓器件的电路设计与销售,将生产、测试、封装等环节外包,资产较轻,初始投资规模小,创业难度相对较小;企业运行费用较低,转型相对灵活。
Foundry模式:只负责制造、封装或测试的其中一个环节,不负责设计,可以同时为多家设计公司提供服务,无需承担由于市场调研不准、产品设计缺陷等因素带来的决策风险。
二噁英:是一种无色无味、毒性严重的脂溶性物质,常以微小的颗粒存在于大气、土壤和水中,主要的污染源是化工冶金工业、垃圾焚烧、造纸以及生产杀虫剂等产业。
碳化硅基氮化镓HEMT:氮化镓HEMT是在能够形成二维电子气(2DEG)的异质结上用类似于MESFET的工艺制成的一种场效应晶体管,因此也称为异质结场效应晶体管(HFET)。
洁净度:空气环境中空气所含尘埃量多少的程度,在一般的情况下,是指单位体积的空气中所含大于等于某一粒径粒子的数量。含尘量高则洁净度低,含尘量低则洁净度高。
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名词解释
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第一部分:行业综述
主要观点:
氮化镓化学式为GaN,是氮和镓的化合物,属于第三代半导体材料,晶体结构通常为纤锌矿结构,制备工艺中应用最为广泛的是HVPE工艺。
氮化镓行业早期在实验室范围内研究,应用领域尚未明确;1998年后,研发进程从实验室向美国、日本高新技术企业转变,应用领域得到拓展;2013年后,中国企业实现了氮化镓产业链的全覆盖。
第一代半导体功率在100W左右,频率约3GHz;第二代半导体材料频率能达到100GHz,但功率却不足100W;第三代半导体材料功率可达到1,000W,频率接近100GHz,是目前最具发展前景的材料。
中不断提升,多家中;多起融资事件反映了资本市场对氮化镓行业的投资热情及未来前景的持续看好。
随着氮化镓行业应用领域的不断拓展,中国氮化镓行业市场规模不断扩大:,,。
“十四五”期间,国家要求推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展,并提出实现650V电压等级国产氮化镓材料和功率器件的规模化生产;申请发明专利≥10件,指定国家或行业标准≥2项的具体要求。
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