存储器实验报告.doc

一、实验设计方案
Ø 实验框图
Ø 文字说明
实验原理:实验原理框图如图实验原理图所示,原理框图中的地址计数器PC可以接收数据开关产生数据,该数据作为地址信息发送到总线;也可以自动加1计数(用于连续读/写操作)产生地址信息。
地址寄存器AR,存放即将访问的存储单元的地址。两组发光二极管显示灯中一组显示存储单元地址;另一组显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。写入存储器的数据是由二进制开关设置并发送到总线上的。
存储器芯片中有片选信号menmenab,其值为1时则RAM被选中,可以对其进行读/写操作,反之则RAM未被选中,不能对其进行读写操作。存储器芯片还有两个读/写控制端(RD、WE);片选信号有效(menmenab=1)以及时钟信号到达的情况下,WE=1,RD=0,则存储器进行写操作;反之,WE=0,RD=1,则存储器进行读操作。
功能验证
1:a)实验仿真波形图:
b)参数设置
End Time: 2us
Grid Time: 40ns
c)初始数值设置
sw_bus:1
Pc_bus:1
menmenab:1
we: 0
rd:0
Ldar:0
Pcclr:1
Pcld|pcen:00
input[7..0]:00
Arout[7..0]:00
d)信号功能描述及属性
sw_bus:作为使能端控制数据的输入。
Pc_bus:控制地址数据输出到总线和地址寄存器。
menmenab:存储芯片的片选信号。
we: 写操作控制信号。
rd:读操作控制信号。
Ldar:控制地址寄存器中的数据传入RAM的控制信号。
Pcclr:地址数据的清零信号,当其值为0时地址清零。
Pcld|pcen:01时,将总线上的数据传入PC,
11时,pc=pc+1;地址计数自动加1。
input[7..0]:地址数据输入端。
Arout[7..0]:寄存器输入RAM的地址数据。
e)波形说明和操作步骤
1)0-80ns:进行初始化
Sw|pc_bus:11:数据输入到总线的开关关闭,进入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r:100:此时不执行读写操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能端无效。
Input[7..0]:00
D~result:ZZ
Arout[7..0]:01
2)80-160ns
Sw|pc_bus:01:数据输入到总线的开关开启,输入的数据进入总线,进入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r:100:此时不执行读写操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en:101:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能端有效。
Input[7..0]:01
D~result:01
Arout[7..0]:00
3)160-240ns
Sw|pc_bus:01:数据输入到总线的开关开启,输入的数据进入总线,进入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r:100:此时不执行读写操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能端无效。
Input[7..0]:01
D~result:01
Arout[7..0]:00
4)240-320ns
Sw|pc_bus:10:数据输入到总线的开关关闭,进入地址寄存器的控制开关打开。
M|w|r:100:此时不执行读写操作。
Ldar:1:地址总线装载入RAM的开关开启。
Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能端无效。
Input[7..0]:00
D~result:01
(240-280ns)Arout[7..0]:01
5)320-400ns
Sw|pc_bus:11:数据输入到总线的开关关闭,进入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r:101:此时不执行写操作,进行读操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能端无效。
Input[7..0]:00
D~result:E1
Arout[7..0]:01
6)400-480ns
Sw|pc_bus:11:数据输入到总线的开关关闭,进入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r:101:此时不执行写操作,进行读操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,PC使能