单晶硅拉晶细则.doc

拉晶细则
1,停炉:收尾结束后停炉
首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮,
同时将埚转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶升,待关闭加热按钮5小时后拆炉
2,拆炉:
首先热后真空检漏,关闭Ar气抽至真空状,然后关闭真空阀,关闭主室泵,3min不超1Pa说明炉内密封性良好(升晶棒前应将晶转关闭),然后关闭真空计,打开Ar气,待Ar气充至一定时间将内外压力平衡,此时可打开门将Ar气关闭,为安全起见将主副室隔离板落下进行隔离,开启液压系统,卸荷(长按听到响声为准)升副室,取晶棒。
3,拆炉后清理
清罐作业,先通下抽空管道有无堵塞,打开真空阀清炉,确认换油次数(6次)与大清次数(6次)
4,炉内大清
待冷却后依次将托杆,电极螺丝,加热器,保温罩,套筒,电极,压板等取出放置妥当,然后对炉底与加热器及其它清理,安装先放炉底保温层,压板,用电灯对下抽空管口是否对好,放保温罩,用吊锤对比聚光口中心位置。
然后取两大四小钛膜片,先放置两小,装电极,放两大,放加热器,再放两小,放电极螺丝(放保温罩分9层如八五型则为850mm,取双层铁丝捆扎)
5,装炉
吸下炉底杂物,确认电极螺丝与托杆牢固,三瓣埚应均匀置于加热器中心,上层保温罩与放置中心避免与三瓣埚,加热器有摩擦,石英埚也应放置平稳,避免一边高一边低
装料时注意细节:将掺杂物(母合金)放置最底部,硅料切勿挂石英埚边,切勿将硅料的面贴住导流筒,导流筒放置平稳,不要将硅料堵塞导流筒口,在炉盖降前注意炉筒以及炉盖上的橡皮圈是否放好
6,加热前真空检漏
在打开主室泵前首先确认主室阀是否处于关闭状态,切记,然后开启主室泵(点动二到三次,避免皮带打滑),打开主室阀约1/3听到响声为准,待副室中压力表低于-,过会打开真空计,充Ar气2~3次,每次约为5~10分钟,然后抽至真空状,压力值小于7Pa,然后3分钟检漏泄漏不超过1Pa
7,加热
打开加热按钮,功率升到30KAV,打开电流过低报警及下,隔半个小时调至60KAV,再隔半个小时调至85~90KAV
8,熔硅
熔硅过程中应观察硅料有无贴边,挂边,当料塌落时观察无硅料过高,打开埚转为1转,观察倒影看导流筒或石英埚上是否有料粘挂(出现此情况应根据料融化情况反复升降埚位直至料落),当料融化离导流筒有一定距离后升埚位(防止埚在高温下变型),当硅料化完时将埚位升到挥发埚位挥发(导流筒边缘与液面中石英埚边光亮倒影基本重合),此时将功率降至65KAV对其挥发半小时,挥发后将功率将至30KAV左右降温,此时可将埚转调为6转加快降温,保