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摘要：
SiC单晶片是一种具有良好电学和物理性能的材料，广泛应用于电子、能源、环境等各个领域。在这些领域的应用中，SiC单晶片的表面精度和平整度是一个非常重要的参数。因此，超精密化学机械抛光(Super-precision Chemical Mechanical Polishing，SCMP)已成为制备高质量SiC单晶片的有效方法之一。本文重点介绍了SCMP技术的研究现状、关键技术以及其在制备高质量SiC单晶片方面的应用研究状态。
关键词：SiC单晶片，超精密化学机械抛光，表面精度，平整度
1、引言
随着科技的不断发展，SiC单晶体材料被广泛应用于电子、能源、环境等领域中，因其具有优异的电学和物理性能，特别是在高温、高压、高频等条件下具有超高稳定性（[1,2]）。在这些领域的应用中，SiC单晶体材料的表面质量和平整度是一个非常重要的参数。通常情况下，SiC单晶片的精度和平整度要求非常高，一般要求其表面的精度达到数十纳米甚至更小的量级。因此，制备高质量的SiC单晶片是SiC材料研究的一个重要方向。
2、超精密化学机械抛光技术
超精密化学机械抛光(SCMP)是一种高效的表面处理技术，该技术是通过一定的化学反应和力学加工过程使材料表面进行自平整化处理并去除污染物，从而达到高质量的表面光洁度和精度。相对于传统的机械抛光和化学抛光技术，SCMP在表面光洁度和精度方面有着明显优势，并且该技术不会对材料表面造成损伤和侵蚀。因此，SCMP技术已经成为制备高质量SiC单晶片的有效方法之一。
3、 SCMP技术的关键技术
、抛光pH值的控制
抛光pH值是SCMP技术中非常重要的一个参数，一个合理的pH值可以控制化学反应速率和选择性，从而达到最佳的抛光效果。如果pH值过高或过低，都会导致化学反应不完全，另外还会对SiC单晶片表面造成损伤和侵蚀。因此，需要通过实验来优化pH值，以达到最佳的抛光效果。
、研磨头的选择
SCMP的研磨头对抛光效果也有很大的影响。通常情况下，用于SiC单晶片抛光的研磨头需要具备细腻的纹理和均匀的硬度。研磨头的选择应该根据具体的表面形态来进行选择。
、机械加工压力的控制
机械加工压力的控制是SCMP技术中非常重要的一个关键技术。加工压力不仅会对SiC单晶片表面造成损伤，而且还会影响抛光光洁度和平整度。因此，加工压力的控制应该根据不同材料的特性和加工要求来进行调整。
4、 SCMP在SiC单晶片制备中的应用研究
目前，SCMP在SiC单晶片制备中已经得到了广泛应用。一种基于SCMP的液相扩散法抛光SiC单晶片的方法已经被报道。该方法在采用外延技术制备SiC单晶片的过程中，采用了一定的SiC颗粒添加剂，以优化SiC单晶片的表面光洁度和平整度 [3]。另外，一种SCMP法也被研究人员用于制备CVD生长的大尺寸SiC晶体。该方法采用细腻纹路研磨头和逐步优化的化学抛光法， [4]。
5、结论
随着SiC单晶片在电子、能源、环境等领域的应用，制备高质量SiC单晶片已成为一个重要的研究方向。超精密化学机械抛光(SCMP)技术是制备高质量SiC单晶片的一种有效方法，该技术在化学反应和机械加工方面具备较高的可控性和精度。未来，随着SCMP技术的进一步优化和发展，SiC单晶片的制备质量和性能也将得到进一步提升。
参考文献：
[1] 杨江,[M].北京:北京航空航天大学出版社,2008.
[2] 朱庆昊,姜彪,李伯荣. [J].材料工程,2006, (10):28-32.
[3] 李森, 田培杰, 冯万里,等. SCMP法抛光SiC材料[J]. 材料导报,2010, 24(S1): 464-467.
[4] 赵忠, 杨红亮, 毛云飞. CVD method on SiC wafers shows promise for next-generation power devices[J].Compound Semiconductor,2019(2).