第二章半导体材料半导体材料目前用于制造半导体器件的材料有:元素半导体(SiGe)化合物半导体(GaAsInSb)本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体,%(8~10个9)。掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍。硅的电阻率与掺 杂(载流子)浓 度的关系电子和空传导穴 用砷来做N型掺杂的硅用硼来做P型掺杂的硅N型半导体中的电子传导P半导体中的空穴传导掺杂半导体的特性化合物半导体化合物半导体由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)等。主要用来制作发光二极管和微波器件。化合物半导体的特点:1、载流子的迁移率比硅高,这种特性使得在通信系统中比Si器件更快的响应高频微波并有效地把它们转变为电流。2、抗辐射能力强。3、制造成本较Si大,而且没有天然的氧化物。对材料的要求:由于诸如材料的结构、获得的方法及各自的作用,加上杂质、缺陷对器件性能的影响,对他们的要求也不尽相同,对常用的Si、Ge、GaAs其选用的指标主要有:1、导电类型(P型或N型)2、电阻率3、少子寿命4、晶格的完整性(晶体缺陷要求少于一定数量)5、纯度高(对要求以外的其它杂质越少越好)6、晶向(因为晶体的各向异性,所以不同的器件要求的晶向不同)
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