半导体命名规则.doc

! -------(妈妈曾经这样对我说,转身出门的一刹那,我泪流满面,却不想让任何人看见!) 看到这一句 小编也心有感触,想起当初离家前往几千里外的地方的时候,妈妈也说过类似的话,但是身为男儿,必须创出一片天,才能报答父母的养育之恩!! 中国三极管型号命名方法
中国半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管
3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:
A-N型锗材料
B-P型锗材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三极管时:
A-PNP型锗材料、
B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、
V-微波管
W-稳压管
C-参量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光电器件
K-开关管
X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)
G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)
D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)
A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)
T-半导体晶闸管(可控整流器)
Y-体效应器件
B-雪崩管
J-阶跃恢复管
CS-场效应管
BT-半导体特殊器件
FH-复合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
美国三极管型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级
JANTX-特军级
JANTXV-超特军级
JANS-宇航级
(无)-非军用品。
:用数字表示pn结数目。1-二极管
2-三极管
3-三个pn结器件
n-依次类推
:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美。
:美顺序号。多位数字-该器件在美的顺序号。
:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
日本三极管型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极
2-三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件
:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管
B-PNP型低频管
C-NPN型高频管