半导体命名规则.doc

中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIＮ型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2－二极管、3-三极管ﻫ 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：Ａ－N型锗材料、B－P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。表示三极管时:A－PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—ＰNP型硅材料、D—ＮPN型硅材料。
第三部分:-普通管、V－微波管、Ｗ—稳压管、Ｃ-参量管、Ｚ－整流管、L—整流堆、S—隧道管、N-阻尼管、Ｕ-光电器件、Ｋ-开关管、X—低频小功率管（F<３MHz，Pc＜１W）、G－高频小功率管（f〉３ＭHz,Pc＜1W)、D—低频大功率管（ｆ〈３ＭHｚ,Pc＞1Ｗ）、A—高频大功率管（f>３MHz，Ｐｃ〉1Ｗ）、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Ｙ-体效应器件、B－雪崩管、Ｊ—阶跃恢复管、ＣS－场效应管、BT－半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、ＪG—    第四部分：用数字表示序号
    第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DＧ18表示ＮPN型硅材料高频三极管　
二、日本半导体分立器件型号命名方法
   　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:ﻫ    第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。０－光电(即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1—二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
    第二部分:—表示已在日本电子工业协会JＥIA注册登记的半导体分立器件。
    第三部分：－PＮP型高频管、B－PNP型低频管、C-NＰＮ型高频管、D—NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G—Ｎ控制极可控硅、Ｈ—N基极单结晶体管、Ｊ－P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
    第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIＡ登记的顺序号。两位以上的整数-从“11"开始，表示在日本电子工业协会ＪEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
    第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、Ｄ、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。