半导体命名规则.doc

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2- 二极管、 3- 三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时: A-N 型锗材料、 B-P 型锗材料、 C-N 型硅材料、 D-P 型硅材料。表示三极管时: A-PNP 型锗材料、 B-NPN 型锗材料、 C-PN P 型硅材料、 D-NPN 型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P- 普通管、 V- 微波管、 W- 稳压管、 C- 参量管、 Z- 整流管、 L- 整流堆、 S- 隧道管、 N- 阻尼管、 U- 光电器件、 K- 开关管、 X- 低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W) 、 G- 高频小功率管( f>3MHz,Pc<1W )、 D- 低频大功率管( f<3MHz,Pc>1W )、 A- 高频大功率管( f>3MHz,Pc>1W )、 T- 半导体晶闸管( 可控整流器)、 Y- 体效应器件、 B- 雪崩管、 J- 阶跃恢复管、 CS- 场效应管、 BT- 半导体特殊器件、 FH- 复合管、 PIN-PIN 型管、 JG- 激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0- 光电(即光敏) 二极管三极管及上述器件的组合管、 1- 二极管、2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、 3- 具有四个有效电极或具有三个 pn 结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分: 日本电子工业协会 JEIA 注册标志。 S- 表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。 A-PNP 型高频管、 B-PNP 型低频管、 C-NPN 型高频管、 D-NPN 型低频管、 F-P 控制极可控硅、 G-N 控制极可控硅、 H-N 基极单结晶体管、 J-P 沟道场效应管、 K-N 沟道场效应管、 M- 双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“ 11 ”开始, 表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号; 不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号; 数字越大, 越是近期产品。第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。 A、B、C、 D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分: 用符号表示器件用途的类型。 JAN- 军级、 JANTX- 特军级、 JANTXV- 超特军级、 JANS- 宇航级、(无) - 非军用品。第二部分: 用数字表示 pn 结数目。 1- 二极管、 2= 三极管、 3-三个 pn 结器件、 n-n 个 pn 结器件。第三部分: 美国电子工业协会( EIA ) 注册标志。 N- 该器件已在美。第四部分: 美顺序号。多位数字- 该器件在美的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。 A、B、C、D、┄┄- 同一型号器件的不同档别。如: JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管, JAN- 军级、 2- 三极管、 N-EIA 注册标志、 3251-EIA 登记顺序号、 A-2N3251A 档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家, 大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成, 各部分的符号及意义如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。 A- 器件使用材料的禁带宽度 Eg=~ 如锗、 B- 器件使用材料的 Eg=~ 如硅、 C- 器件使用材料的 Eg> 如砷化镓、 D- 器件使用材料的 Eg< 如锑化铟、 E- 器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。 A- 检波开关混频二极管、 B- 变容二极管、 C- 低频小功率三极管、 D- 低频大功率三极管、 E- 隧道二极管、 F- 高频小功率三极管、 G- 复合器件及其他器件、 H- 磁敏二极管、 K- 开放磁路中的霍尔元件、