半导体命名规则.docx

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半导体器件型号由五局部〔场效应器件、半导体特别器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五局部〕组成。五个局部意义如下:
第一局部:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
其次局部:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三局部:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-一般管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管〔f>3MHz,Pc<1W〕、D-低频大功率管〔f<3MHz,Pc>1W〕、A-高频大功率管〔f>3MHz,Pc>1W〕、T-半导体晶闸管〔可控整流器〕、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特别器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四局部:用数字表示序号
第五局部:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七局部组成。通常只用到前五个局部,其各局部的符号意义如下:
第一局部:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电〔即光敏〕二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
其次局部:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三局部:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P掌握极可控硅、G-N掌握极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四局部:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的挨次号。两位以上的整数-从“11”开头,表示在日本电子工业协会JEIA登记的挨次号;不同公司的性能一样的器件可以使用同一挨次号;数字越大,越是近期产品。
第五局部:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、
D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一局部:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、〔无〕-非军用品。
其次局部:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个
pn结器件、n-n个pn结器件。
第三局部:美国电子工业协会〔EIA〕注册标志。N-该器件已在美。
第四局部:美挨次号。多位数字-该器件在美的挨次号。
第五局部:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记挨次号、A-2N3251A档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都承受国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个根本局部组成,各局部的符号及意义如下:
第一局部:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=~、B-器件使用材料的Eg=~、C-器件使用材料的Eg>、D-器件使用材料的Eg<、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
其次局部:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三局部:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四局部:用字母对同一类型号器件进展分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进展分档的标志。
除四个根本部格外,有时还加后缀,以区分特性或进一步分类。常见后缀如下:
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一局部是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀其次局部是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三局部是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单
位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家,如德国、荷兰承受如下命名方法。第一局部:O-表示半导体器件
其次局部:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三局部:多位数字-表示器件的登记序号。
第四局部:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍。
一、半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结〔极间〕电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比
CTC---电容温度系数Cvn---标称电容
IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流〔平均值〕,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF〔AV〕---正向平均电流
IFM〔IM〕---正向峰值电流〔正向最大电流〕。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流〔浪涌电流〕
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---放射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中放射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中放射极向电流
ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管掌握极触发电流IGD---晶闸管掌握极不触发电流IGFM---掌握极正向峰值电流IR〔AV〕---反向平均电流
IR〔In〕---反向直流电流〔反向漏电流〕。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流〔反向浪涌电流〕Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流〔反向测试电流〕。测试反向电参数时,给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向〔整流〕电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流f---频率
n---电容变化指数;电容比Q---优值〔品质因素〕δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率
PFT〔AV〕---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率
PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率
PC---掌握极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率
PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
RF〔r〕---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻
RL---负载电阻Rs(rs) 串联电阻
Rth 热阻
R(th)ja 结到环境的热阻
Rz(ru) 动态电阻
R(th)jc 结到壳的热阻
rδ 衰减电阻
r(th) 瞬态电阻
Ta 环境温度
Tc 壳温
td 延迟时间
tf 下降时间
tfr 正向恢复时间
tg 电路换向关断时间
tgt 门极掌握极开通时间
Tj 结温
Tjm 最高结温
ton 开通时间
toff 关断时间
tr 上升时间
trr 反向恢复时间
ts 存储时间
tstg 温度补偿二极管的贮成温度
a 温度系数
λp 发光峰值波长
△λ 光谱半宽度
η 单结晶体管分压比或效率
VB 反向峰值击穿电压
Vc 整流输入电压
VB2B1 基极间电压
VBE10 放射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降〔正向峰值电压〕VF---正向压降〔正向直流电压〕
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF〔AV〕---正向平均电压Vo---沟通输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压〔反向直流电压〕VRM---反向峰值电压〔最高测试电压〕V〔BR〕---击穿电压
Vth---阀电压〔门限电压〕
VRRM---反向重复峰值电压〔反向浪涌电压〕VRWM---反向工作峰值电压
Vv---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压〔信号电压〕或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数
Vk---膝点电压〔稳流二极管〕VL---极限电压
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容Cce---放射极接地输出电容Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容Cie---共放射极输入电容
Cies---共放射极短路输入电容Cieo---共放射极开路输入电容Cn---中和电容〔外电路参数〕Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe---共放射极输出电容
Coeo---共放射极开路输出电容Cre---共放射极反响电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容〔外电路参数〕Cp---并联电容〔外电路参数〕
BVcbo---放射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路,CE结击穿电压
BVebo---集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与放射极短路CE结击穿电压
BVcer---基极与放射极串接一电阻,CE结击穿电压D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---共放射极静态电流放大系数
hIE---共放射极静态输入阻抗hOE---共放射极静态输出电导
hRE---共放射极静态电压反响系数