第八章半导体存储器和可编程逻辑器件
LSI(大规模集成电路)可分为:1)非用户定制电路(通用集成电路);2)全用户定制电路(专用集成电路ASIC:Application Specific Integrated Circuit);3)半用户定制电路。
§ 随机存取存储器(RAM)(又称读写存储器)
一、半导体存储器的分类:
1、按功能分:随机存取存储器;只读存储器(ROM)
2、按机理分:RAM:静态RAM(SRAM);动态RAM(DRAM)
二、RAM的电路结构与工作原理:
1、RAM存储单元:
存储单元是存储器的最基本存储细胞,它可以存放1位二值数据。
1)静态RAM存储单元:
a)条件:存储单元能够进行读/写操作的条件是:与它相连的行、列选择线均须呈高电平。
b)特点:数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。
2)动态RAM存储单元:
动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容的电荷存储效应。
2、RAM的基本结构:
1)存储器组成:存储矩阵,地址译码器和输入/输出控制电路。它有3类信号线:地址线、数据线和控制线。
2)地址译码:
A、地址:通常RAM以字为单位进行数据的读出与写入(每次写入或读出一个字),为了区别各个不同的字,将存放同一个字的存储单元编为一组,并赋于一个号码,称为地址。字单元也称为地址单元。
B、地址单元的个数N与二进制地址码的位数n满足关系式:N=2n.
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