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�2 006 年第 1 期������淮南职业技术学院学报��N O �1,2006
第 6 卷(总第 IS 期) JO U R N A �O �H U IN A �V O CA TIO N A L & T E C H N IC A �C O L LE G E V O ,Seria�N o�18
对电子设备防雷击有关问题的探讨
��������王永淮
(淮浙煤电有限公司顾4E分公司, 安徽淮南232151)
��〔摘要I 随着微电子技术的广泛应用,电子信息设备和计算机系统已深人到企业,由于这类设备的工作
电压和耐冲击电压水平低,极易受到雷电电磁脉冲的危害,雷电对设备的破坏途径更加多样,它可以导致数据信
号发生错乱,也可能导致芯片的直接损坏,使设备立即发生故障中断通信;过去的防雷主要针对强电系统,而现
在的防雷技术重点转向弱电系统;阐述了雷击模拟电子设备的机理,SPD 类型和选择时应注意的问题。
��〔关键词」电子信息设备; 雷击; 措施
��[ 中图分类号]TN974 [文献标识码]B [文章编�1167��473�(2006�0��005��03
1 前言损坏为感应雷造成,雷电行波通过传输信息的电路
��防雷技术的发展是与高科技的迅猛发展紧密相线传至电子在电子设备中,易受雷击过电压损坏的
关的。目前,雷灾增多的原因并不在于自然界的雷元部件,大多数是靠近设备的人口端,横向过电压可
电现象发生变异,而是由于微电子技术的普遍应用, 随信息同时传至设备内部,损坏设备内的阻容元件
新设备的技术和结构与过去电子管设备有了很大区及固体元件。电子元件受雷击损坏的情况,概括起
别,雷电的某些在过去想不到也看不到的物理效应来不外下列三种:(1)受过电压损坏的,如电容器、
在新器件、新产品上发生作用。过去的防雷主要针变压器及电子元件的反向耐压。(2)受过电压冲击
对强电系统,雷电磁波(LEM P)的存在危害不了它, 能量损坏的,如二极管 PN 结正向损坏。冲击危险
而现在的防雷技术重点转向弱电系统。随着微电子程度在于流过元器件的过电流大小和持续时间,即
技术的广泛应用,雷电对设备的破坏途径更加多样, 能量大小。(3)易受冲击功率损坏的,对元件的危
破坏程度更加广泛和深人;它可以导致数据信号发害决定于冲击电压峰值和由此而产生的过电根据雷
生错乱,也可能导致芯片的直接损坏,使设备立即发电保护区的划分要求。
生故障中断通信。��雷电区域的划分以顾北矿 11�kV 变电所为例,
��顾北矿目前采用的新设备大多数是电子信息设 11�kV 变电所外部是直接雷的区域,因是暴露区,
备,如压风机,11�kV 变电所,PLC 智能控制等,面在这个区域内的设备最容易遭受损害,危险性最高,
对新的电子信息设备防雷形势,防雷工程技术必须设为0 区; 变电所内部及计算机房所处的位置为非
要从系统的角度进行综合防御。全面的防雷就是要暴露区,可将其分为 1 区、2 区,越往内部,危险程度
提供高效的接闪体,安全引导雷电流人地,完善低电越低。雷电过电压对内部电子设备的损害主要是沿
阻地网,清除地面回路,电源浪涌冲击防护,信号及线路引人。
数据线瞬变防护。 雷电保护系统
2 雷击电子设备的途径及措施��为