硅片制绒工艺和清洗 PPT制绒工艺.ppt

硅片制绒和清洗
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概述
形成起伏不平的绒面,增加硅片对
太阳光的吸收
去除硅片表面的机械损伤层
清除表面油污和金属杂质
硅片表面处理的目的:
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硅片表面沾污主要包括:
有机杂质沾污
颗粒沾污
金属离子沾污
硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类: A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥ μm颗粒,利用兆声波可去除≥ μm颗粒。   C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污.
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硅片表面的机械损伤层
(一)硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
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硅片表面的机械损伤层
(二)多线切割
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硅片表面的机械损伤层(三)机械损伤层
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硅片
机械损伤层(10微米)
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硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)
线切割损伤层厚度可达10微米左右。
一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀
~1min以达到去除损伤层的效果,此时的
腐蚀速率可达到6~10um/min 。
初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。
对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。
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制绒:表面织构化
单晶硅片表面的
金字塔状绒面
单晶硅片表面反射率
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角锥体形成原理
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角锥体的密度和它们的几何特征同时影响着太阳电池的陷光效率和前表面产生反射损失的最低限。尺寸一般控制在3~15微米。
推测腐蚀反应期间的产物氢气泡的发展对角锥体的形成起着重要的作用。气泡粘附在硅片表面,它们的掩蔽作用导致了溶液的侧向腐蚀,这是角锥体形成过程的要素。
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