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第二章常用半导体器件及应用一、,它们是、、。,加入元素可形成P型半导体。。,硅二极管的门限电压约为V,导通后的正向压降约为V;锗二极管的门限电压约为V,导通后的正向压降约为V。,发光二极管的正向导通电压约为V,考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在mA。(BJT)是一种控制器件;场效应管是一种控制器件。。。。、集电结。,它的三个工作区域分别是、、。、、。,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的输入电阻。。,输出电阻很。、、。,而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。,而等效电路法则适合于。,如果输入为正弦波,用示波器观察uo和ui的波形的相位关系为;当为共集电极电路时,则uo和ui的相位关系为。,其输出电压的波形底部被削掉,称为失真,原因是Q点(太高或太低),若输出电压的波形顶部被削掉,称为失真,原因是Q点(太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉,原因是。,三个电极A、B、C的电位分别为9V、,则该三极管属于型,由半导体材料制成。,某一元件参数变化时,将UCEQ的变化情况(增加;减小;不变)填入相应的空格内。(1)Rb增加时,UCEQ将。(2)Rc减小时,UCEQ将。(3)Rc增加时,UCEQ将。(4)Rs增加时,UCEQ将。(5)β增加时(换管子),UCEQ将。第二章题解-1+Rb+2C1++TRsuoRL+us--,栅源间PN结必须加电压来改变导电沟道的宽度,它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻。,所以将它称为双极型器件,由于场效应管,所以将其称为单极型器件。,UGS可以为。对于增强型N沟道MOS管,UGS只能为,并且只有当UGS时,才能形有id。,其输入电阻、噪声、温度稳定性、放大能力。。,其单位为。解:(1)热敏、光敏、掺杂特性。(2)五价、三价。(3)单向导电性。(4)、、、。(5)1-。(6)电流型、电压型。(7)NPN、PNP。(8)锗、硅。(9)极性和方向。(10)正偏、反偏。(11)截止区、放大区、饱和区。(12)共射极、共基极、共集电极。(13)小。(14)静态工作点。(15)高(大)、低(小)。(16)输入与输出同相、电压放大倍数约等于1、输入电阻大且输出电阻小。(17)直流通路、交流通路。(18)分析各点的电流、电压波形和非线性失真情况,一般用于大信号放大电路;适宜于求解动态参数,一般用于小信号放大器分析。(19)反相、相同。(20)饱和、太高;截止、太低;输入信号过大。(21)NPN、硅。(22)增加、增加、减小、不变、减小。第二章题解-2(23)反偏、高。(24)通过空穴和自由电子两种载流子参与导电,只靠一种载流子(多子)参与导电。(25)为正为负或者为零;为正;>UGS(th)。(26)高、低、好、弱。(27)自给式、分压式。(28)UGS、ID、西门子(ms)。,其正向电流是由()。(A)多数载流子扩散形成(B)多数载流子漂移形成(C)少数载流子漂移形成(D),但小于击穿电压时,()。(A)其反向电流增大(B)其反向电流减小(C)其反向电流基本不变(D)()。(A)单向导电性(B)反偏截止特性(C)电容特性(D),其PN结应()。(A)正偏(B)反偏答:1、A2、C3、D4、。(设二极管均为理想二极管)解:(a)3V(b)0V(c)-3V(d)3V。,设二极管均为恒压降模型