解一:MgO为NaCl型,O2-做密堆积,Mg2+填充空隙。rO2-=,rMg2+=,z=4,a=2(r++r-)=:(4/3×πrO2-3+4/3×πrMg2+3)×4,,晶胞体积=a3,堆积系数=晶胞中MgO体积/晶胞体积=%,密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=。(认为阴阳离子紧密接触)解二:在MgO晶体中,O2-采用面心立方密堆积,Mg2+填入空隙中。在面心立方中,八个顶点的原子分别被八个晶胞共享,所以每个晶胞只占有八分之一,六个面心的原子分别被两个晶胞共享,每个晶胞占有二分之一,这样八个八分之一和六个二分之一加起来就是四,也就是每个晶胞中有4个O2-,相应地也就有4个Mg2+,这样就可以计算出每个晶胞的质量。然后根据O2-的半径可以计算晶胞的体积和离子的体积,注意六面体两个相邻顶点的原子不是直接接触的,只有对角线方向的原子(O原子)是直接接触的,因此计算棱长的时候先计算对角线长度(即4倍的离子半径),然后再计算棱长。晶胞质量m=(+)g/mol*4÷*10^23/mol=*10^-22g注意相对原子质量在数之上等于摩尔质量,直接计算得到的是1mol晶胞的质量,需要除以阿伏加德罗常数。面对角线长度L=4r=*4=(即棱长)a=L*sin45==a^3==*10^-23cm3密度ρ=m/V=-、Mg2+、,故晶胞中离子总体积为(+)*4===% (认为阴离子紧密接触。)那种对呢?又看到书上说对于一般的稳定晶体结构,r+/r-并不处于临界状态,因此阴阳离子配置关系为阴阳离子密切接触,阴离子之间不接触。密堆积应该是O2-直接接触?(理论上的?)两种说法不是矛盾了解:应该是第一种方法是正确的。根据半径比规则,,,因此正负离子肯定挨着,而负离子间不可能挨着,因此晶胞的边长a=2(r++r-)=。
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