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模拟电子复习课件第4章三极管放大电路计算重点定性题重点第2章运算放大器第10章直流稳压电源第3章二极管及基本电路第5章场效应管放大电路第6章模拟集成电路第8章功率放大电路第7章反馈放大电路第9章信号处理与产生电路第1章绪论1、了解本征半导体、P型、N型半导体的定义和特征第3章二极管及基本电路参与导电的载流子?多数和少数(空穴?电子?)2、理解PN结的形成,掌握其V-I特性(也是二极管的V-I特性)扩散运动和漂移运动(多子扩散?少子漂移?)单向导电性,反向击穿,电容效应3、掌握二极管电路的3种模型分析方法掌握目标:1、可按指定模型计算;2、可判断出电路中的二极管是导通还是截止;理性模型恒压降模型折线模型前进本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。1、了解本征半导体、P型、N型半导体的定义和特征自由电子数==空穴数N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子,由热激发形成。返回2、理解PN结的形成,掌握其V-I特性(也是二极管的V-I特性)(2)漂移运动:在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。(1)扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。一、PN结的形成1)由载流子浓度差引起扩散运动4)多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡,形成PN结3)内电场促使少子漂移,阻止多子扩散2)扩散运动形成空间电荷区,产生内电场PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。结论:PN结具有单向导电性。随着温度变化,少数载流子的相对浓度变化较大,所以反向漂移电流变化明显,速度变快。这也是半导体器件的温度稳定性差的原因。二、PN结的特性返回3、掌握二极管电路的3种模型分析方法(3)折线模型(1)理想模型(2),设二极管VD为理想元件,直流电源E=3V。当输入电压vi为直流2V时,试分析:(1)二极管VD工作在什么状态?(2)输出电压vo为多少?*1、理解BJT放大状态工作原理两个结对电压的正反偏置要求;不同管子NPN\PNP的不同对比;2、掌握BJT的V-I特性曲线输入特性曲线输出特性曲线三个工作区3、重点掌握共射放大电路的工作原理、静态工作点Q的计算;动态小信号等效模型的计算第4章三极管放大电路4、理解图解分析法,以及静态工作点对失真的影响;5、理解温度对静态工作点的影响以及解决方法——射极偏置电路的Q点稳定原理;6、掌握共基极和共集电极放大电路的工作原理(静态、动态计算);7、熟悉BJT的三种连接方式;掌握三种组态的判别和性能对比;8、理解复合管的等效判断和组合放大电路;返回2、掌握BJT的V-I特性曲线(1)输入特性曲线描述了当输出电压vCE恒定时,输入电流IB与输入电压vBE之间的关系(3)(2)(1)(2)输出特性曲线描述了当输入电流IB恒定时,集电极电流IC与电压vCE之间的关系返回