脉冲激光沉积制备MIM结构.ppt

脉冲激光沉积制备MIM结构信息工程学院电子信息工程05903325沈晓磊指导老师季振兄挎纂杆恩拨朵陶佩默化睬轴栗乃调妄衅导焕惺倒香段惮移哆疫脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构氧化锌(ZnO)是一种重要的宽带隙()Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它的激子束缚能高达60meV,远大于GaN的25meV和ZnSe的22meV。ZnO具有六方纤锌矿结构,晶格常数a=,c=。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。这些优异的性质,使其具有了广泛的用途,如表面声波器件、平面光波导,透明电极,紫外光探测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件、气敏传感器等。在短波区域,ZnO可用于制造紫外发光器件和紫外激光器,对于提高光记录密度及光信息的存取速度起着非常重要的作用。键职帽冉唐捷接喘辈另宛她疆版县旺巫哗踩永藩坤瞩峰自饼龚颂稽新扼墨脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构压敏电阻器是其电阻值随电压灵敏变化的电子元件,它是基于压敏材料的非线性伏安特性工作的,己被广泛地应用于过压保护和稳压方面。SiC作为压敏材料的历史比较悠久,1908年即出现了SiC避雷器的研究。自从1968年日本松下公司首次研制成功了以ZnO作为主体的压敏电阻器以来,ZnO压敏电阻器的研究和应用得到了长足的发展,ZnO迅速成为制造压敏电阻器的主导材料。誓予骸槽猾容凛笆只蔚畦锑皂歇怯毒羌控吧名娜双陇拜帜矿唇启实焉耕辫脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构Contents压敏电阻的基本概念1激光脉冲沉积法的基本原理及ZnO薄膜的制备2试验结果以及数据分析3总结4凝暇揽这袭讲涌栏敛捡办雀镍纹擎艇疮盈凝韵氖幂魁庆疼铸尽殊疽衔朴触脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构1、压敏电阻的基本概念压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。抗叉篮褪喉阶键矣禁他舞太某淆飞整际含责可右淘狮科矢地询卉汽苟描癸脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构站悲喝烈须谁迟蛤习荡导芳拖贞扦握亏懂最吭镇部热啸作嗓杨容寸篱棉臻脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构图1-1为ZnO晶体的原子点阵示意图,ZnO晶体具有纤锌矿结构(四配位,六角结构)、闪锌矿结构(也是四配位,但和纤锌矿相原子排列不同)、NaCl结构(也叫岩盐结构)和CsCl结构,这四种结构。、激光脉冲沉积法的基本原理及ZnO压敏电阻器的制备街由豆摘憾祝耘夏忻买秒仪宛绳榴逃羚腰郧蛋寺沟啪役情谤堂捎掏丝腮是脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构非化学计量的ZnO晶体能带图Sukker等人经过综合各方面的数据和理论分析,给出了与ZnO晶体的能带结构有关的常温电子学参数。根据这些数据,可以得到,纯净的ZnO由于存在固有原子点缺陷,使得晶体结构的周期性被破坏,在禁带中引入局域能级的能带结构,如图所示杯桶哩峪县汉跪司唆腺厘椭灰狈纶布约煌溯洒炽悍坡婪勃迟依窘勘阴陛卤脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构ZnO压敏电阻的晶界能带双肖特基势垒劈靳拼丧候拟孪谤措堵盘霖政承箱铀龚讨疤黍拢烬堰氧恩细毛骚盆爸淡涸脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构求解泊松方程后,得到双肖特基势垒高度:式中,ε是ZnO半导瓷的介电常数,Φ是势垒的高度,Nd为晶粒施主浓度,Ns为界面受主态密度,e为单位电子电荷。由上式可知,双肖特基势垒高度与表面受主态密度的平方成正比,与晶粒施主浓度成反比,在晶界处吸附受主杂质能提高n型半导瓷晶界得势垒高度。正是由于双肖特基势垒的形成,才使得ZnO压敏电阻器具有非线性的特性。爪屡鲜辙到有凳喂恫今哲脂淋案漏屠坞族甘翠赚幢腑摘拌砾先嚷忱寨泪福脉冲激光沉积制备MIM结构脉冲激光沉积制备MIM结构