mask光掩膜.doc

光掩膜(mask)资料:在半导体制造的整个流程中,其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程,即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关键部分,是流程中造价最高的一部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。光掩膜除了应用于芯片制造外,还广泛的应用与像LCD,PCB等方面。常见的光掩膜的种类有四种,铬版(chrome)、干版,凸版、液体凸版。主要分两个组成部分,基板和不透光材料。基板通常是高纯度,低反射率,低热膨胀系数的石英玻璃。。铬的硬度比玻璃略小,虽不易受损但有可能被玻璃所伤害。应用于芯片制造的光掩膜为高敏感度的铬版。干版涂附的乳胶,硬度小且易吸附灰尘,不过干版还有包膜和超微颗粒干版,其中后者可以应用于芯片制造。(顺便提一下,通常讲的菲林即film,底片或胶片的意思,感光为微小晶体颗粒)。在刻画时,采用步进机刻画(stepper),其中有电子束和激光之分,激光束直接在涂有铬层的4-9“玻璃板上刻画,边缘起点5mm,与电子束相比,其弧形更逼真,线宽与间距更小。光掩膜有掩膜原版(reticlemask,也有称为中间掩膜,reticle作为单位译为光栅),用步进机重复将比例缩小到mastermaks上,应用到实际曝光中的为工作掩膜(workingmask),工作掩膜由mastermask复制过来。以下是具体的制造流程和检测流程:1,数据转换将如GDSII版图格式分层,运算,格式转换为设备所知的数据形式。(这一部分会产一些具体的描述)2,图形产生通过电子束或激光进行图形曝光。3,光阻显影曝光多余图形,以便进行蚀刻。4,铬层刻蚀对铬层进行刻蚀,保留图形。5,去除光阻去除多余光刻胶。6,尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位。7,初始清洗清洗并检测作为准备。8,缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形9,缺陷补偿对缺陷进行修补。10,再次清洗清洗为加蒙版作准备11,加附蒙版蒙版(pellicle)加在主体之上,这防止灰尘的吸附及伤害。12,最后检查对光掩膜作最后检测工作,以确保光罩的正确。光掩膜的基本检查大体有:基板,名称,版别,图形,排列,膜层关系,伤痕,图形边缘,微小尺寸,绝对尺寸,缺欠检查等。对于数据处理主要来自于工艺上的要求,在图形处理上有:1,直接对应光掩膜直接对应到版图的一层,如金属层。2,逻辑运算光刻图形可能由1层或多层版图层逻辑运算而来。比如定义pplus与nplus互补,如果只有pplus,nplus将由pplus进行逻辑非的运算得来。在实际处理中以反转的形式实现。不过值得注意的是,在进行某些逻辑运算时,图层的顺序十分重要。与反转运算结合进,运算的先后顺序也很重要。3,图形涨缩即