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FTIR在晶体硅太阳电池中的应用.pdf


文档分类:研究报告 | 页数:约69页 举报非法文档有奖
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锄鲐户以学位论文作者签名:宙家有关部门或机构送交本论文的复印件和磁盘,允许论文被乱胰查阅和借阅。本人授权逝江理工大堂可以将学位论文的全部年日本学位论文作者完全了解逝江理工大堂有权保留并向国或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。签字日期:沙夷阥学位论文版权使用授权书C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄊ签字日期:弘
在晶体硅太阳电池中的应用摘要盗⒁逗焱是一种重要的半导体材料测试手段。无论是晶体生长过程中难以避免的氧和碳,还是电池制备过程中引入的氢和氮,都对晶体硅太阳电池的性能有着显著的影响。本论文主要采用傅里叶红外方法研究了多晶硅铸造过程中碳的分凝和碳在熔融硅中的扩散行为,研究了大直径单晶硅电池制备过程中氧的沉淀行为以及不同沉积方式下所形成:∧さ男灾省实验发现,与氧在定向凝固法铸造多晶硅的轴向分布取决于生长过程中的氧的分凝和氧的挥发不同,碳浓度分布符合分凝规律,而几乎不受碳挥发行为的影响。用经典分凝公式模型较好地模拟了定向凝固法制备的太阳电池用铸造多晶硅的轴向碳浓度分布。由模拟结果得到,实验用的铸造多晶硅的实际分凝系数应为对陡哂谄淅硐肫胶夥帜凳.。,远远小于铸造过程的凝固速度./。结果表明,通过降低凝固速度很难降低铸造多晶硅硅锭有效部分中碳的浓度。研究大直径单晶硅太阳电池制备过程中氧的行为,实验发现,太阳电池用大直径直拉单晶硅存在原生氧沉淀,实验用的直拉单晶硅,头部样品原生氧沉淀量为.,尾部样品原生氧沉淀量为.。结果表明:显著不同于太阳电池用小直径单晶硅的晶体生长,不同的热场和长时间的晶体生长显著促进了硅中原生氧沉淀的生成。同时,研究了模拟大直径单晶硅太阳电池热处理的过程中氧沉淀的形成规律。实验发现,在℃范围内即使热处理跖ǘ纫没有明显变化,说明在大直径直拉单晶硅太阳电池制备过程中不会产生明显的氧沉淀,从而不会明显地影响电池的效率。最后,还研究了电池表面经不同沉积方式下生成的氮化硅薄膜及其热处理后的性质。实验发现,对比管式推桨迨絇,无论是原生薄膜还是模拟太阳电池制备过程的℃的热处理规律都非常相似。关键词:;晶体硅;太阳电池;杂质;
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⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯简介⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.测试原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一概述⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯....ㄐ蔚慕囟稀..ㄐ蔚牟裳..扑惴椒ā相位修正⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.在半导体材料中的应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..用于测定和研究硅中的杂质含量⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯研究直拉硅中子辐照缺陷⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯研究多晶硅的远红外吸收光谱⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯太阳电池地位重要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯太阳电池以晶体硅太阳电池为主⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯晶体硅太阳电池制备工艺⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯选定硅片⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.杵砻孀急浮扩散制结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.票讣醴瓷淠ぁ制作电极⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯......
测试封装⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯近年晶体硅太阳电池发展特点⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅片厚度越来越薄,单个硅片的面积越来越大⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯新设备持续研发使用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯不断开发新型电池辅料⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯产量快速增长,效率的增长放缓⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯课题研究的意义、目的及创新性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.实验原料⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯实验方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯抛光硅片⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯测定样品的氧碳浓度⋯⋯⋯⋯⋯⋯

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  • 时间2015-12-10