实验十二用霍尔效应测磁场.doc

实验十二用霍尔效应测磁场.doc:..。。实验仪器HL—4崔尔效应仪,稳流电源,稳压电源,安培表,毫安花功率函数发生器,特斯拉计,数字万用表,电阻箱等。,磁场3(沿z轴)垂直于电流%(沿x轴)的方向,如图4—14—1所示,则在导体中垂直于B和%的方向上出现一个横向电位差Uh,这个现象称为霍尔效应。这一效应对金属来说并不显著,但对半导体非常显著。霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等更要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测虽:直流或交流电路小的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。霍尔电势差是这样产生的:当电流巾通过霍尔元件(假设为P型)时,空穴冇一定的漂移速度”,垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力Fb=g("x〃) (4-14-1)式中g为电了电荷。洛沦兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品冇边界,所以冇些偏转的载流子将在边界积累起來,产牛一个横向电场E,直到电场对载流子的作用力%二qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止,即q(vxB)=qE (4—14—2)这时电荷在样品中流动时将不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起來的。如果是N型样品,则横向电场与前者相反,所以N型样品和P型样品的崔尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。设P型样品的载流子浓度为”,宽度为b,厚度为d。通过样品电流g=pqvbd,则空穴的速度v=Ih/pqvbd,代入(4-14-2)式有E=*xB=pqbd (4-14-3)上式两边各乘以b,便得到UH=Eb=^-=RH^~pqdd (4—14—4)M称为霍尔系数。在应用中一般写成Uh=Kh【hB. (4-14-5)比例系数KH=RH/d=\/pqd称为霍尔元件灵敏度,单位为mV/(mA・T)。一般要求K〃愈大愈好。心与载流子浓度〃成反比。半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小,所以都用半导体材料作为霍尔元件。Kr与片厚〃成反比,所以崔尔元件都做的很薄,--。由(4-14-5)式可以看出,知道了霍尔片的灵敏度Kr,只要分别测出霍尔电流%及霍尔电势差"〃就可算出磁场B的大小。这就是霍尔效应测磁场的原理。,如磁通法、核磁共振法及霍尔效应法等。其屮霍尔效应法用半导体材料构成霍尔片作为传感元件,把磁信号转换成电信号,测出磁场中各点的磁感应强度。能测量交、直流磁场,是其最大的优点。以此原理制成的特斯拉计能简便、直观、快速地测图4一量磁场。电路如图4一14一2所示。直流电源&为电磁铁提供励磁电流仏,通过变阻器可以调节仏的大小。电源色通过可变电阻心(用电阻箱)为霍尔元件提供电流厶,当d电源为直流时,用直流毫安表测霍尔电流,用数字万川表测霍尔电压;当艮为交流时,毫安表和毫伏表都用数字万用表。半导体材料有N型(电子型)和P型(空穴型)两种,前者载流了为电了,带负电;后者载流了为空穴,相当于带正电的粒子。山图4—14—1可以看出,若载流子为电子则4点电位