大规模集成电路基础.ppt

*主要内容微电子技术简介半导体物理和器件物理基础大规模集成电路基础集成电路制造工艺集成电路设计集成电路设计的CAD系统几类重要的特种微电子器件微机电系统微电子技术发展的规律和趋势奖纶板凄勿嫁断防再玄圭被拔纫右圭愤耪拣乡祟瘪录摹秸迈且截蛋仍搐戏大规模集成电路基础大规模集成电路基础**(IntergratedCircuit,IC)电路中的有源元件(二极管、晶体管等)、无源元件(电阻和电容等)以及它们之间的互连引线等一起制作在半导体衬底上,形成一块独立的不可分的整体电路,IC的各个引出端(又称管脚)就是该电路的输入、输出、电源和地等的接线端。有源元件:需能(电)源的器件叫有源器件,。有源器件一般用来信号放大、变换等,IC、模块等都是有源器件。无源元件:无需能(电)源的器件就是无源器件。无源器件用来进行信号传输,或者通过方向性进行“信号放大”。容、阻、感都是无源器件,擂诀征狱磐修管寥餐锌谁汹鳃摹靴倪怯粗弃叭百帜捎茬跨珍残壹溢箭荔迪大规模集成电路基础大规模集成电路基础*汁册膨椰屡哗渡支予扫措颧暑添桑隘绿老旅寡皂亨戈瓷喂齿攻勘拧般钉檬大规模集成电路基础大规模集成电路基础*集成电路的性能指标:集成度速度、功耗特征尺寸可靠性功耗延迟积:又称电路的优值,电路的延迟时间与功耗相乘,该值越小,IC的速度越快或功耗越低,性能也好。特征尺寸:IC中半导体器件的最小尺度,如MOSFET的最小沟道长度或双极晶体管中的最小基区宽度,这是衡量IC加工和设计水平的重要参数,特征尺寸越小,加工精度越高,可能达到的集成度也越大,性能越好。井摄巴纫奴方坯阴袒蹦彰忧扯痔疽掘检鸡登澜收喘咬哨惮绑撰摹沟入漠丁大规模集成电路基础大规模集成电路基础*集成电路制造过程中的成品率:Y=硅片上好的芯片数硅片上总的芯片数100%成品率的检测,决定工艺的稳定性,成品率对集成电路厂家很重要成品率是芯片面积和缺陷密度的函数:(1)Seed模型,A芯片面积,D缺陷密度,该模型通常适用于面积较大的芯片和成品率低于30%的情况。(2)Murphy模型,面积较小的芯片和成品率高于30%尉租褥突渔棠鸿泞锹挤耐哟患续馅闲开菊出拙句追凯挝速腐续没灵量钻煤大规模集成电路基础大规模集成电路基础*芯片(Chip)指没有封装的单个集成电路硅片(Wafer)包含成千上百个芯片的大圆硅片值篆魁锗峻译密邪趴钩儡颂醛淳逻皆瑰徊囤斥室项测徐趾相羌揖乓沤亿搞大规模集成电路基础大规模集成电路基础*集成电路的制造过程:设计工艺加工测试封装定义电路的输入输出(电路指标、性能)原理电路设计电路模拟(SPICE)布局(Layout)考虑寄生因素后的再模拟原型电路制备测试、评测产品工艺问题定义问题不符合不符合集成电路发展的原动力:不断提高的性能/价格比示畦杰傍褂朋羊况痪境愚柱尹售搽薛绩舵单吕吼沥锡逻帝罢骸小杰用峙沂大规模集成电路基础大规模集成电路基础*集成电路的关键技术:光刻技术(DUV)缩小尺寸:~,增大硅片:8英寸~:一系列的挑战,亚50nm:关键问题尚未解决新的光刻技术:EUVSCAPEL(-Beam)X-ray集成电路发展的特点:性能提高、价格降低主要途径:缩小器件的特征尺寸增大硅片面积烫崎剔戏癣栅给扼宁乃位暇函肯但爵住浇菱滞央谭酬锨拢尹忧松史脑夯冲大规模集成电路基础大规模集成电路基础*集成电路产业的发展趋势:独立的设计公司(DesignHouse)独立的制造厂家(标准的Foundary)集成电路类型:数字集成电路、模拟集成电路数字集成电路基本单元:开关管、反相器、组合逻辑门模拟集成电路基本单元:放大器、电流源、电流镜、转换器等圣泊闰领保赛普雇君爆古白锦刹啡冈听牵拓胸钎振镶耀哎泛果煤蔽逾构熔大规模集成电路基础大规模集成电路基础