。半导体的导电性能是由其原子结构决定的,就元素半导体硅和锗而言,其原子序数分别为14和32,它们最外层的电子(价电子)数均为4,原子结构中每一个原子与相邻四个原子结合,形成共价键结构。(温度增高或光照)后,共价键内的电子将成为自由电子(带负电),整个中性原子因失去一个电子而带正电,于是在共价键中就留下一个空位,称为空穴,故空穴带正电,我们把这种现象,称之为本征激发。本征激发现象在外电场作用下,自由电子和空穴都可产生定向移动而形成电流,因而把自由电子和空穴都称为载流子(能够参与导电的带电粒子)。(1)P型半导体在本征半导体单晶硅(或锗)中,掺入微量的硼元素(或其它三价元素)。这种半导体中空穴数目多,即空穴为多数载流子;而自由电子数目少,称为少数载流子,这种半导体称为P型半导体。(2)N型半导体在本征半导体单晶硅(或锗)中,掺入微量的磷元素(或其它五价元素)。这种半导体中的自由电子数目增多,称为多数载流子;而该半导体中空穴的数目较少,称为少数载流子,这种半导体又称为N型半导体。,分别形成P型半
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