双极型极管.pptx

1半导体三极管晶体管(transistor)双极型三极管或简称三极管制作材料:分类:它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称为:硅或锗NPN型PNP型下页上页首页2一、三极管的结构三个区发射区:杂质浓度很高基区:杂质浓度低且很薄集电区:ecb发射极电流二、三极管中载流子的运动和电流分配关系发射:发射区大量电子向基区发射。:电子在基区中复合扩散。:将扩散过来的电子收集到集电极。同时形成反向饱和电流ICBO。IENIBNICBOIC=ICn+ICBOIE=ICn+IBnIC=αIE+ICBO当ICBO<<IC时,可得≈ICIEαIEn=ICn+IBnIE=IEnIE=IC+IB下页上页将代入IC=ICn+α=IE通常将定义为共基直流电流放大系数。首页5β≈ICIBIE=IC+IBIC=αIE+ICBO代入得IC=αα1-IB+α1-1ICBOβ=αα1-令可得IC=βIB+(1+)ICBOβIC=βIB+ICEO当ICEO<<IC时,可得β称为共射直流电流放大系数。ICEO=(1+β)ICBOIE=IC+IBIC≈βIBIE=(1+β)IBICEO称为穿透电流。下页上页首页6各参数含义::共基直流电流放大系数。:共射直流电流放大系数。α=ICnIEICEO=(1+)ICBOβ:集电极与发射极间穿透电流。β=ΔiCΔiBα=ΔiCΔiE:共基交流电流放大系数。:共射交流电流放大系数。β1+βα=β=α1-αα和β满足或β=IC-ICEOIB≈ICIB下页上页首页7三、=f(uBE)uCE=常数uCE=0VuCE=2V当uCE大于某一数值后,各条输入特性十分密集,通常用uCE>1时的一条输入特性来代表。uBE/ViB/μAO三极管的输入特性下页上页uBEiB+-uCE==80μА6040200iC=f(uCE)iB=常数饱和区放大区截止区:iB≤0的区域,iC≈0,发射结和集电结都反偏。:发射结和集电结都正偏,uCE较小,iC基本不随iB而变化。当uCE=uBE时,为临界饱和;当uCE<uBE时过饱和。:发射结正偏,集电结反偏ΔiC=βΔiB9发射结反向偏置,集电结反向偏置,三极管工作在截止区,可调换VBB极性。发射结反向偏置,三极管工作在截止区,极性,或将VT更换为PNP型。两PN结均正偏,三极管工作在饱和区。[]判断图示各电路中三极管的工作状态。=iBRb+uBEiBiCiB==,UCES==VCC-UCESRc=<ICS假设不成立,三极管工作在放大区。或者iC=βiB==VCC-iCRc=,三极管工作在放大区。VBBVT2k200k10V10Vβ=50首页