? MOS 晶体管可用作开关或大功率调节。专门为这类应用而设计的器件称为功率晶体管。一般把安全工作区(SOA)边界的这两部分称为电学SOA 与热电SOA。?晶体管击穿电压决定了最大VDS,电迁徙限制了最大电流,最高温度和散热决定了最大功率,一、MOS 安全工作区(SOA)?功率晶体管的电学SOA 源于碰撞电离。背栅去偏置效应。背栅去偏置超过了源区衬偏电压,源向衬底注入少子。MOS 结构中固有寄生双极型晶体管具有和任何其他双极型晶体管一样的缺点,尤其是会出现热击穿。在约1ms 的延迟后,聚集的电流就会将雪崩MOS 管烧毁,这种机制叫做热电SOA。漏区-背栅结温度较高的部分传导较大的电流,使电流积聚到一个热点。当栅电阻比较大时,由于栅极电阻和电容的延迟,M1率先导通,如果CL电压很大,M1电流密度会过大而击穿如个比较大,当栅电压VG上升时间只有几ns时,才会发生这种失效,经常发生在ESD保护电路和栅极驱动电路中MOS晶体管导通电阻包括器件导通电阻,金属连线电阻最为常见的MOS 功率晶体管的两种金属连线图形分别为:矩形器件、对角器件;1. 矩形器件流过晶体管各部分的电流基本相等。?A普通方式,成对导线,方便连接;?B电流最均匀,最适合的连接方式?C减小了导线电阻,但电流不均匀?对角结构,采用逐渐变细总线的版图结构。?从而自然地在器件的两侧形成梯形的金属2 总线。漏极和源极必须位于晶体管相对的两端。?逐渐变细的总线可以降低去偏置效应通过金属跳线在栅极两端连接,可以使栅电阻降低到1/4
场效应晶体管 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
