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晶体管的发展历史.doc


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1947年12月,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。晶体管的发明,最早可以追溯到1929年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。在为这种器件命名时,布拉顿想到它的电阻变换特性,即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的,于是取名为trans-resister(转换电阻),后来缩写为transister,中文译名就是晶体管。 1956年,肖克莱、巴丁、布拉顿三人,因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。【晶体管的发展历史及其重要里程碑】 1947年12月16日:威廉·邵克雷(WilliamShockley)、约翰·巴顿(JohnBardeen)和沃特·布拉顿(WalterBrattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年:威廉·邵克雷开发出双极晶体管(BipolarJunctionTransistor),这是现在通行的标准的晶体管。 1953年:第一个采用晶体管的商业化设备投入市场,即助听器。 1954年10月18日:第一台晶体管收音机RegencyTR1投入市场,仅包含4只锗晶体管。 1961年4月25日:第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯(RobertNoyce)。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够,但是新的电子设备要求规格更小的晶体管,即集成电路。 1965年:摩尔定律诞生。当时,戈登·摩尔(GordonMoore)预测,未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年),摩尔定律在ElectronicsMagazine杂志一篇文章中公布。 1968年7月:罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童(Fairchild)半导体公司辞职,创立了一个新的企业,即英特尔公司,英文名Intel为“集成电子设备(integratedelectronics)”的缩写。 1969年:英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质,但是引入了新的多晶硅栅电极。 1971年:英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸x1/16英寸,包含仅2000多个晶体管,采用英特尔10微米PMOS技术生产。 1978年:英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部,武装了IBM新产品IBMPC的中枢大脑。,运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富(Forture)500强企业排名,《财富(Forture)》杂志将英特尔公司评为“七十大商业奇迹之一(BusinessTriumphsoftheSeventies)”。 1982年:286微处理器(又称80286)推出,成为英特尔的第一个16位处理器,可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。286处理器使用了13400个晶体管,运行频率为6MHz、8MHz、。 1

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  • 时间2019-12-21