高频小信号调谐放大器实验报告.doc

高频实验一高频小信号调谐放大器实验 一、。。(电压放大倍数,通频带,矩形系数)的测试方法。,并能够通过仿真而了解到电路的一些特性以及各电路原件的作用二、(TektronixTDS2022B)(附有multisim仿真软件)三、。所谓“小信号”,通常指输入信号电压一般在微伏~毫伏数量级附近,由于信号小,从而可以认为放大器工作在晶体管的线性范围内。所谓“调谐”,主要是指放大器的集电极负载为调谐回路。这种放大器对谐振频率及附近频率的信号具有较强的放大作用,而对其它远离的频率信号,放大作用很差。高频小信号调谐放大器是我主要质量指标如下::放大器输出电压与输入电压之比,用来表示高频小信号调谐放大器放大微弱信号的能力,即Av=:,所对应的频率范围为高频放大器的通频带,。:从含有各种不同频率的信号总和(有用和有害的)中选出有用信号排除有害(干扰)信号的能力,称为放大器的选择性。衡量选择性的基本指标一般有两个:矩形系数和抑制比。,=,。且矩形系数越小,选择性越好,其抑制邻近无用信号的能力就越强。抑制比见末尾附录,此处略。:指放大器的工作状态(直流偏置)、晶体管的参数、电路元件参数等发生可能的变化时,放大器的主要特性的稳定程度。:高频放大器由多级组成,降低噪声系数的关键在于减小前级电路的内部噪声。因此,在设计前级放大器时,要求采用低噪声器件,合理地设置工作电流等,使放大器在尽可能高的功率增益下噪声系数最小。其计算表达式为NF=Psi/PniPso/Pno,NF越接近1越说明噪声越小,电路的性能越好。-2小信号调谐放大器实验电路说明:我们做实验的时候只要使用IN1连R1经C2再至晶体管放大器后经C4输出这条通路即可,分别测试放大器的放大倍数、通频带以及电路的品质因数对通频带以及幅频特性的影响。四、实验前的准备:第一部分:理论计算该放大电路在高频情况下的等效为如图1-2所示,晶体管的4个y参数yie,yoe,yfe及yre分别为由课本所学的理论知识我们可知:回路的总电导g∑为回路的谐振频率:然而由于本题中p12Coe+p22Cie的值比较小,所以我们不妨就认为C∑≈C,再根据题目要求f0=,所以建立方程f0=≈12πLC,再结合实际,于是我们不妨取L=100nH,C=:仿真利用实验室计算机或者自己计算机上安装的Multisim9(10)软件,参照实验电路图,进行仿真,:电路的一些细节分析:电容C2是输入耦合电容,C3是输出耦合电容,滑动变阻器R2和电阻R3、R4是晶体管直流偏置电阻,可通过调节R2的阻值,使得晶体满足::,:3.(若过小,将导致晶体管饱和导通,此时小信号放大器没有放大倍数)电阻R6是射极交流负反馈电阻,电阻R1是射极直流负反馈电阻,它决定了晶体管射极的直流电流Ie,在本电路中应Ie控制在1-10mA左右。电容C1是射极旁路电路,在高频的情况下其相当于短路。集电极回路由电容C4和电感L1组成,是一个并联的LC谐振回路,起到选频的作用。在实际的电路中,电容有一个可变电容可以改变回路总的电容值,电感由初级回路和次级回路组成,中间有铁芯耦合,实验箱上电感的初级回路和次级回路封装在中周中,调节中周里的铁芯位置可以改变电感值和耦合强度,从而改变LC谐振回路的谐振频率。滑动变阻器RW1是阻尼电阻,可以改变回路的品质因素和电压增益。根据晶体管工作在甲类放大时的电压的要求,我们再确定分压电阻R2、R3、R4的阻值(如仿真图),选择Ie=2mA,又可进一步算出R1的阻值。我们取输入信号的参数为f=,幅值为50mV,按照上面的仿真图,仿真出来的结果为注:红线代表输入信号;黄线代表输出信号;由游标示数我们可以知道此电路的放大倍数为AV0=其他各表的示数如下:集射电压Vce射极电压Ve基极电压Vb射极电流